具有外部磁场产生器的存储器件及其操作和制造方法技术

本发明专利技术公开了一种具有磁场产生器的存储器件及其操作和制造方法。在所述器件和方法中，磁性存储器包括磁性隧穿结单元、晶体管和位线，且磁场产生器设置于所述磁性存储器之外以在平行于所述位线的方向产生朝向所述磁性存储器的全局磁场。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器件，且更具体而言，涉及一种。
技术介绍
磁性存储器件与铁电随机存取存储器(FRAM)器件、参数随机存取存储器(PRAM)器件、以及冗余随机存取存储器(RRAM)器件一起被认为是下一代的非易失存储器件。磁性存储单元包括磁隧穿结(MTJ)单元以及作为转换单元的场效应晶体管(FET)。这样的磁性存储器件的特征为MTJ单元。MTJ单元包括磁化方向固定的下磁性层、磁化方向可以通过外部磁场改变的上磁性层(自由磁性层)以及夹置于下、上磁性层之间的隧穿层。在磁性存储器件的常规的MTJ单元中，由易磁化轴方向上的位线产生的磁场和由难磁化轴方向上的数字线产生的磁场的矢量组合决定了自由磁性层的磁化方向，其中位线和数字线彼此垂直。因为自由磁化层具有剩余磁化，所以在决定了自由磁性层的磁化方向之后，即使当磁性存储器件电源关闭时自由磁性层也可以保持其磁化方向。即，因为自由磁性层的磁化方向意味着存储的数据，所以即使当没有电源时也可以保持MTJ单元中的数据。磁性存储器件具有比如好的非易失特性和适于存储集成的简单的结构的优点。然而，磁性存储器件的MTJ单元应具有大的磁阻比(MR比)以保证足够的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：包括磁性隧穿结单元、晶体管和位线的磁性存储器；以及设置于所述磁性存储器之外以在平行于所述位线的方向产生朝向所述磁性存储器的全局磁场的磁场产生器。

【技术特征摘要】
KR 2005-3-2 17217/051.一种存储器件，包括包括磁性隧穿结单元、晶体管和位线的磁性存储器；以及设置于所述磁性存储器之外以在平行于所述位线的方向产生朝向所述磁性存储器的全局磁场的磁场产生器。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述磁性存储器包括具有多个磁性存储单元的单元阵列，所述多个存储单元由所述位线连接，且每个所述磁性存储单元包括所述磁性隧穿结单元和所述晶体管。3.根据权利要求2所述的存储器件，其中每个所述磁性存储单元还包括连接所述磁性隧穿结单元与所述晶体管的下电极；以及从在上的位置面对所述下电极且连接所述磁性隧穿结单元与所述位线的上电极，其中所述磁性隧穿结单元设置于所述下电极和上电极之间，且连接到所述位线的上电极从所述位线分开，使得由所述位线产生、朝向所述磁性隧穿结单元的磁场是可忽略的。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述磁场产生器垂直于所述位线且包括具有面对所述磁性存储器的N极的第一磁体；以及具有面对所述磁性存储器的S极的第二磁体，且其中所述第二磁体面对所述第一磁体，所述磁性存储器在它们之间。5.根据权利要求4所述的存储器件，其中所述第一磁体和第二磁体是永磁体。6.一种操作存储器件的方法，所述存储器件包括磁性存储器和磁场产生器，所述磁性存储器包括磁性隧穿结单元、晶体管和位线，所述磁场产生器设置于所述磁性存储器的外部以在平行于所述位线的方向产生朝向所述磁性存储器的磁场，所述方法包括当所述磁性存储器处于由所述磁场产生器产生的磁场中时，通过将写电流施加到所述位线而在磁性存储器中写数据。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述晶体管被保持在关状态。8.根据权利要求6所述的方法，其中所述磁性存储器包括具有多个磁性存储单元的单元阵列，所述多个磁性存储单元由所述位线连接，每个所述磁性存储单元包括所述磁性隧穿结单元和所述晶体管。9.根据权利要求8所述的方法，其中每个所述磁性存储单元还包括连接所述磁性隧穿结单元与所述晶体管的下电极；以及从在上的位置面对所述下电极且连接所述磁性隧穿结单元与所述位线的上电极，其中所述磁性隧穿结单元设置于所述下电极和上电极之间，且连接到所述位线的上电极从所述位线分开，使得由所述位线产生、朝向所述磁性隧穿结单元的磁场是可忽略的。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述晶体管被保持在开状态。11.根据权利要求6所述的方法，其中所述磁场产生器垂直于所述位线且包括具有面对所述磁性存储器的N极的第一磁体；以及具有面对所述磁性存储器的S极的第二磁体，且其中所述第二磁体面对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰完，黄仁俊，郑元哲，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]