扇出式基板及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种形成扇出式基板的方法，包括：提供并排设置的第二线路层和第一线路层；通过引线将第一线路层电连接至第二线路层；翻转第一线路层以将第一线路层接合至第二线路层的上表面。本发明专利技术的目的在于提供一种扇出式基板及其形成方法，以提高扇出式基板的良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
扇出式基板及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及扇出式基板及其形成方法。

技术介绍

[0002]因应高阶终端产品所需，封装件(PKG)尺寸越来越大，输入/输出(I/O)数越来越多，基板层数也越来越多，因此使用混合扇出式基板技术满足高阶产品需求。扇出式基板是透过粘合层去结合扇出线路层与基板，再通过通孔连通线路层与基板之间的电性通道。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种扇出式基板及其形成方法，以提高扇出式基板的良率。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了一种形成扇出式基板的方法，包括：提供并排设置的第二线路层和第一线路层；通过引线将第一线路层电连接至第二线路层；翻转第一线路层以将第一线路层接合至第二线路层的上表面。
[0005]在一些实施例中，在翻转第一线路层时，弯折引线。
[0006]在一些实施例中，引线在第二线路层和第一线路层之间的侧壁处具有弯折部。
[0007]在一些实施例中，在通过引线将第一线路层电连接至第二线路层后，在第二线路层和第一线路层上形成粘合层，粘合层包覆引线，在翻转第一线路层后，粘合层位于第一线路层和第二线路层之间。
[0008]在一些实施例中，第二线路层和第一线路层并排放置时，在第二线路层和第一线路层之间具有间隙，粘合层部分地填充间隙，在翻转第一线路层后，粘合层位于第二线路层和第一线路层的部分侧壁上。
[0009]在一些实施例中，在翻转后，第二线路层上的粘合层和第一线路层上的粘合层之间具有分界面。
[0010]在一些实施例中，分界面位于粘合层的厚度的一半的位置处。
[0011]在一些实施例中，在翻转后，粘合层的高度与第二线路层的高度的比率在1/2和2/3之间。
[0012]在一些实施例中，在翻转之前，引线的第一端部位于第一线路层的邻近第二线路层的一侧，引线的第二端部位于第二线路层的邻近第一线路层的一侧。
[0013]在一些实施例中，第一线路层和第二线路层在翻转后相互面对的面积小于25mm*25mm。
[0014]本申请的实施例还提供一种扇出式基板，包括：第二线路层；第一线路层，位于第二线路层上方；引线，位于第二线路层和第一线路层之间并电连接第二线路层和第一线路层，引线在扇出式基板的侧边处具有弯折部。
[0015]在一些实施例中，引线仅位于扇出式基板的一侧。
[0016]在一些实施例中，在扇出式基板的具有引线的一侧，第二线路层和第一线路层的
以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0031]另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包含涵盖于范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。
[0032]再者，为便于描述，“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于区分一个图或一系列图的不同组件。“第一”、“第二”、“第三”等等不意欲描述对应组件。
[0033]现有的形成通孔的方式为例如镭射钻孔或等离子处理或回蚀刻等，再通过电镀制程以形成导电通孔，从而连接扇出结构和基板，然而在形成通孔时，有可能会发生扩孔以及后续电镀的制程问题(例如，出现不理想的凹槽)，使得后续制程产生困难，并且现有的形成通孔的工艺都需要极大的成本支出。若是针对较为低阶产品的基板，利用高阶的扇出式基板(FOSub)则会无法应用至较低输入/输出(I/O)数量的产品。
[0034]下面将根据附图，对本申请的扇出式基板及其形成方法作具体阐述。
[0035]本申请的实施例提供了一种扇出式基板50，包括：第二线路层20；第一线路层10，位于第二线路层20上方；引线30，位于第二线路层20和第一线路层10之间并电连接第二线路层20和第一线路层10，引线30在扇出式基板50的侧边处具有弯折部。在一些实施例中，引线仅位于扇出式基板50的一侧。在一些实施例中，在扇出式基板50的具有引线30的一侧，第二线路层20和第一线路层10的侧壁对齐。在一些实施例中，在扇出式基板50的任一侧，第二线路层20和第一线路层10的侧壁对齐。在一些实施例中，还包括：粘合层40，位于第二线路层20和第一线路层10之间，粘合层40包覆引线30。在一些实施例中，粘合层40包覆引线30的弯折部31。在一些实施例中，粘合层40还延伸覆盖第一线路层10和第二线路层20的部分侧壁，粘合层40不覆盖第一线路层10和第二线路层20的整个侧壁。在一些实施例中，粘合层40的位于第一线路层10的侧壁上的部分的高度、与粘合层40的位于第二线路层20的侧壁上的部分的高度相同。在一些实施例中，第一线路层10中线路的的线宽/间距为2μm至5μm，第二线路层20中线路的的线宽/间距小于10μm。在一些实施例中，第一线路层10面向第二线路层20的有源侧。
[0036]参见图2和图3，分别提供第一线路层10和第二线路层20。在一些实施例中，第一线路层10的第一线路11的的线宽/间距为2μm至5μm，第二线路层20的第二线路21的线宽/间距小于10μm。在一些实施例中，第一线路层10是重分布层(RDL)，第二线路层20是基板。
[0037]参见图4，将第一线路层10和第二线路层20并排设置，通过引线30将第一线路层10电连接至第二线路层20。引线30的第一端部位于第一线路层10的邻近第二线路层20的一侧，引线30的第二端部位于第二线路层20的邻近第一线路层10的一侧。第二线路层20和第一线路层10并排放置时，在第二线路层20和第一线路层10之间具有间隙32。
[0038]参见图5，在第二线路层20和第一线路层10上形成粘合层40，粘合层40包覆引线30，粘合层部分地填充间隙32。
[0039]参见图1和图6，翻转第一线路层10以将第一线路层10接合至第二线路层20的上表面。在翻转第一线路层10时，引线30发生弯折，弯折部31位于扇出式基板50的侧边处并且由粘合层40包覆。粘合层40位于第一线路层10和第二线路层20之间，并且位于第二线路层20
和第一线路层10的部分侧壁上。在一些实施例中，粘合层40不覆盖第一线路层10和第二线路层20的整个侧壁。在一些实施例中，粘合层40的位于第一线路层10的侧壁上的部分的高度、与粘合层40的位于第二线路层20的侧壁上的部分的高度相同。在一些实施例中，在翻转后，粘合层40的位于第二线路层20和第一线路层10之间的高度与第二线路层20的高度的比率在1/2和2/3之间。在一些实施例中，第一线路层10和第二线路层20在单位区域上的输入/输出数小于1000，第一线路层10和第二线路层20在翻转后相互面对的面积小于25mm*25mm。在一些实施例中，引线30仅位于扇出式基板50的一侧。在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成扇出式基板的方法，其特征在于，包括：提供并排设置的第二线路层和第一线路层；通过引线将所述第一线路层电连接至所述第二线路层；翻转所述第一线路层以将所述第一线路层接合至所述第二线路层的上表面。2.根据权利要求1所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，在翻转所述第一线路层时，弯折所述引线。3.根据权利要求2所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，所述引线在所述扇出式基板的位于所述第二线路层和所述第一线路层之间的侧边处具有弯折部。4.根据权利要求1所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，在通过所述引线将所述第一线路层电连接至所述第二线路层后，在所述第二线路层和所述第一线路层上形成粘合层，所述粘合层包覆所述引线，在翻转所述第一线路层后，所述粘合层位于所述第一线路层和所述第二线路层之间。5.根据权利要求4所述的形成扇出式基板的方法，其特征在于，所述第二线路层和所述第一线路层并排放置时，在所述第二线路层和所述第一线路层之间具有间隙，所述粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：