载带金属线路的制作方法、载带技术

本发明专利技术公开了一种载带金属线路的制作方法，包括以下步骤，S00：在基材膜的上表面溅射金属原子，形成种子层；S10：在种子层的上表面加工出连接层，对连接层的表面进行处理，使连接层表面粗糙度提高；S20：在连接层的上表面均匀覆上一层光刻胶，形成光刻胶层；S30：对光刻胶层依次进行曝光和显影处理，使光刻胶层之间形成沟槽；S40：在光刻胶层之间的沟槽内进行长铜处理，以形成金属线路；S50：洗去光刻胶层；S60：进行纳米微蚀刻处理，直至金属线路之间的种子层和连接层被完全蚀刻；连接层用于增加种子层与光刻胶层之间的连接强度，从而避免了在制作金属线路过程中光刻胶发生脱落或偏移。制作金属线路过程中光刻胶发生脱落或偏移。制作金属线路过程中光刻胶发生脱落或偏移。

【技术实现步骤摘要】
载带金属线路的制作方法、载带


[0001]本专利技术属于载带加工
，具体涉及一种载带金属线路的制作方法和一种采用该载带金属线路的制作方法制作的载带。

技术介绍

[0002]FPC指柔性电路板，是以聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材制成的一种具有高度可靠性，绝佳的可挠性印刷电路板。简称软板或FPC，具有配线密度高、重量轻、厚度薄的特点。
[0003]COF指覆晶薄膜，是一种将驱动IC固定于柔性线路板上晶粒软膜构装技术，是运用软质附加电路板作封装芯片载体将芯片与软性基板电路接合的技术，COF是FPC中精度要求较高的一种，COF在制作时通常需要进行曝光和显影处理，因此，光刻胶会被大量使用。现有制程通常是在种子层的表面直接添加光刻胶，然后进曝光和显影处理，由于光刻胶与种子层连接强度较低，在输送和加工过程中，光刻胶容易发生脱落或位置偏移的现象，导致后续制作的金属线路不符合工艺要求。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0005]为此，本专利技术提出一种载带金属线路的制作方法，该载带金属线路的制作方法具有制作时光刻胶连接牢固，不会发生脱落或偏移的优点。
[0006]根据本专利技术实施例的载带金属线路的制作方法，包括以下步骤，S00：在基材膜的上表面溅射金属原子，形成种子层；S10：在种子层的上表面加工出连接层，对连接层的表面进行处理，使连接层表面粗糙度提高；S20：在连接层的上表面均匀覆上一层光刻胶，形成光刻胶层；S30：对光刻胶层依次进行曝光和显影处理，使光刻胶层之间形成沟槽；S40：在光刻胶层之间的沟槽内进行长铜处理，以形成金属线路；S50：洗去光刻胶层；S60：进行纳米微蚀刻处理，直至金属线路之间的种子层和连接层被完全蚀刻；所述连接层用于增加所述种子层与所述光刻胶层之间的连接强度。
[0007]根据本专利技术一个实施例，所述种子层包括底层和上层，所述底层由钨、镍、铜、钒、钼、锡、锌、钴、铁、钛或其合金中的一种所制成，所述底层厚度为10
‑
30纳米，所述上层由铜、金、银或其合金中的一种所制成，所述上层的厚度为50
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100纳米，所述S00具体为：利用真空磁控溅射机在基材膜的上表面先后均匀溅射出底层和上层。
[0008]根据本专利技术一个实施例，所述S10中，连接层为含有铝的金属混合物，所述连接层的厚度为50
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150纳米。
[0009]根据本专利技术一个实施例，所述S10中，利用强碱液洗去连接层表面的铝，进而使得连接层的表面粗糙度提高。
[0010]根据本专利技术一个实施例，所述光刻胶层为正性胶，所述曝光和显影处理过程为：先制作一个遮光膜，在遮光膜上开设出透光孔，遮光膜上透光的部分与金属线路的形状一致，将透光膜放置在光刻胶层上，随后利用紫外光穿过透光孔对光刻胶层进行曝光处理，使得
曝光区域的光刻胶层发生化学反应；利用显影液洗去曝光区域的光刻胶层，使得未曝光区域上的光刻胶层得以保留。
[0011]根据本专利技术一个实施例，所述光刻胶层为负性胶，所述曝光和显影处理过程为：先制作一个遮光膜，在遮光膜上开设出透光孔，遮光膜上不透光的部分与金属线路的形状一致，将透光膜放置在光刻胶层上，随后利用紫外光穿过透光孔对光刻胶层进行曝光处理，使得曝光区域的光刻胶层发生化学反应；利用显影液洗去未曝光区域的光刻胶层，使得曝光区域上的光刻胶层得以保留。
[0012]根据本专利技术一个实施例，长铜处理的操作为：将基材膜连接上阴极，同时将基材膜的上表面浸没在充满铜离子的溶液中，使得铜离子在光刻胶层之间的沟槽内开始沉积并形成金属线路，所述金属线路的厚度为8
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12微米。
[0013]根据本专利技术一个实施例，所述S60中，纳米微蚀刻的厚度是种子层的厚度与连接层的厚度之和。
[0014]根据本专利技术一个实施例，所述连接层为镍和铝的混合物。
[0015]根据本专利技术一个实施例，所述连接层利用靶材进行溅射加工而成，所述靶材由铝板和其他金属板交错拼接而成或由铝与其他金属的混合物制成。
[0016]根据本专利技术一个实施例，在所述S60之后，还需要在金属线路的表面先后涂覆一层锡层和抗氧化油漆层。
[0017]根据本专利技术一个实施例，一种采用上述任一所述载带金属线路的制作方法制作的载带，所述载带包括：基材膜；种子层，所述种子层设于所述基材膜的上表面；连接层，所述连接层设于所述种子层的上表面；金属线路，所述金属线路设于所述连接层的上表面；锡层，所述锡层涂覆于所述种子层、所述连接层和所述金属线路堆叠后的的外表面；抗氧化油漆层，所述抗氧化油漆层涂覆于所述锡层和所述基材膜的外表面；所述连接层的上表面具有凹凸结构，所述连接层的内部具有孔洞结构，所述金属线路的一部分进入所述凹凸结构和所述孔洞结构内。
[0018]本专利技术的有益效果是，本专利技术过程简单，易于实现，通过在种子层上加工出连接层，并对连接层表面进行处理，使连接层表面的粗糙度得以提高，从而提高了光刻胶层与连接层的连接强度，避免了在制作金属线路过程中光刻胶发生脱落或偏移，从而使得金属线路能够在另一部分光刻胶层之间的沟槽内进行稳定生长，最终制作出的金属线路尺寸也更加均匀，载带的成品率更高。
[0019]本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0020]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0021]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是根据本专利技术实施例的载带金属线路的制作方法的流程示意图；
图2是采用本专利技术实施例的载带金属线路的制作方法制作过程中光刻胶层的示意图；图3是采用本专利技术实施例的载带金属线路的制作方法制作过程中光刻胶层的示意图；图4是采用现有技术制作过程中光刻胶层的示意图；图5是采用现有技术制作过程中光刻胶层的示意图；附图标记：基材膜1、种子层2、连接层3、光刻胶层4、金属线路5、锡层6、抗氧化油漆层7。
具体实施方式
[0022]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0023]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种载带金属线路的制作方法，其特征在于，包括以下步骤，S00：在基材膜（1）的上表面溅射金属原子，形成种子层（2）；S10：在种子层（2）的上表面加工出连接层（3），对连接层（3）的表面进行处理，使连接层（3）表面粗糙度提高；S20：在连接层（3）的上表面均匀覆上一层光刻胶，形成光刻胶层（4）；S30：对光刻胶层（4）依次进行曝光和显影处理，使光刻胶层（4）之间形成沟槽；S40：在光刻胶层（4）之间的沟槽内进行长铜处理，以形成金属线路（5）；S50：洗去光刻胶层（4）；S60：进行纳米微蚀刻处理，直至金属线路（5）之间的种子层（2）和连接层（3）被完全蚀刻；所述连接层（3）用于增加所述种子层（2）与所述光刻胶层（4）之间的连接强度。2.根据权利要求1所述的载带金属线路的制作方法，其特征在于，所述种子层（2）包括底层和上层，所述底层由钨、镍、铜、钒、钼、锡、锌、钴、铁、钛或其合金中的一种所制成，所述底层厚度为10
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30纳米，所述上层由铜、金、银或其合金中的一种所制成，所述上层的厚度为50
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100纳米，所述S00具体为：利用真空磁控溅射机在基材膜（1）的上表面先后均匀溅射出底层和上层。3.根据权利要求2所述的载带金属线路的制作方法，其特征在于，所述S10中，连接层（3）为含有铝的金属混合物，所述连接层（3）的厚度为50
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150纳米。4.根据权利要求3所述的载带金属线路的制作方法，其特征在于，所述S10中，利用强碱液洗去连接层（3）表面的铝，进而使得连接层（3）的表面粗糙度提高。5.根据权利要求1所述的载带金属线路的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层（4）为正性胶，所述曝光和显影处理过程为：先制作一个遮光膜，在遮光膜上开设出透光孔，遮光膜上透光的部分与金属线路（5）的形状一致，将透光膜放置在光刻胶层（4）上，随后利用紫外光穿过透光孔对光刻胶层（4）进行曝光处理，使得曝光区域的光刻胶层（4）发生化学反应；利用显影液洗去曝光区域的光刻胶层（4），使得未曝光区域上的光刻胶层（4）得以保留。6.根据权利要求1所述的载带金属线路的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡水河，陈正能，
申请(专利权)人：常州欣盛半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：