一种等离子体处理设备制造技术

本申请实施例提供一种等离子体处理设备，包括等离子体反应室、升降装置、监测装置、控制器以及调节装置。等离子体反应室形成有工艺腔。升降装置承载工艺腔内的晶圆并驱动晶圆上升或下降。监测装置位于工艺腔内，监测装置配置为监测晶圆在工艺腔内的位置偏差。控制器配置为接收监测装置监测到的位置偏差，并根据监测装置监测到的位置偏差输出控制信号。调节装置配置为根据控制信号调节升降装置的位置以使晶圆在工艺腔内的位置偏差小于或等于预设位置偏差。调节装置根据控制信号调节升降装置的位置从而实现对晶圆的位置的调节，以确保晶圆在工艺腔内的位置偏差能够小于或等于预设位置偏差，因而在一定程度上提高了晶圆在工艺腔内的位置精度。腔内的位置精度。腔内的位置精度。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理设备


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种等离子体处理设备。

技术介绍

[0002]在晶圆加工过程中，对晶圆在机台中的传送位置精度有较高的要求。等离子体处理工艺在晶圆加工过程中属于一种较为常见的工艺，晶圆在等离子体反应室的工艺腔内的位置精度对晶圆的等离子体工艺有着重要的影响，相关技术中，晶圆在等离子体反应室的工艺腔内的位置精度还有待进一步提高。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例期望提供一种等离子体处理设备，以提高晶圆在等离子体反应室的工艺腔内的位置精度。
[0004]为达到上述目的，本申请实施例提供一种等离子体处理设备，包括：
[0005]等离子体反应室，形成有工艺腔；
[0006]升降装置，配置为承载所述工艺腔内的晶圆并驱动所述晶圆上升或下降；
[0007]监测装置，位于所述工艺腔内，所述监测装置配置为监测所述晶圆在工艺腔内的位置偏差；
[0008]控制器，配置为接收所述监测装置监测到的位置偏差，并根据所述监测装置监测到的位置偏差输出控制信号；以及
[0009]调节装置，配置为根据所述控制信号调节所述升降装置的位置以使所述晶圆在所述工艺腔内的位置偏差小于或等于预设位置偏差。
[0010]一实施例中，所述监测装置包括位于所述工艺腔内的发光器件和感光器件，所述发光器件配置为发出光束以监测所述晶圆在所述工艺腔内的位置偏差，所述感光器件配置为接收所述发光器件发出的光束，所述监测装置监测到的位置偏差为所述感光器件触发的信号。
[0011]一实施例中，所述等离子体反应室形成有避让孔，所述升降装置包括第一驱动件以及位于所述避让孔内的升降柱，所述升降柱配置为承载所述晶圆，所述第一驱动件配置为驱动所述升降柱沿所述避让孔的轴向移动以使所述晶圆上升或下降，所述避让孔的直径大于所述发光器件照射到所述感光器件处形成的光斑直径的两倍。
[0012]一实施例中，所述发光器件和所述感光器件沿所述升降装置的升降方向相对布置。
[0013]一实施例中，所述等离子体反应室包括：
[0014]反应室主体，所述工艺腔形成于所述反应室主体；
[0015]上电极，位于所述工艺腔内，所述上电极连接在所述反应室主体的顶部，所述发光器件嵌设于所述上电极内；以及
[0016]下电极，位于所述工艺腔内，所述下电极连接在所述反应室主体的底部，所述感光
器件嵌设于所述下电极内。
[0017]一实施例中，所述发光器件为激光发射器。
[0018]一实施例中，所述调节装置包括：
[0019]承载平台，与所述升降装置连接；以及
[0020]驱动组件，配置为根据所述控制信号驱动所述承载平台移动以使所述晶圆在所述工艺腔内的位置偏差小于或等于预设位置偏差。
[0021]一实施例中，所述驱动组件配置为根据所述控制信号驱动所述承载平台沿预设方向移动，所述预设方向与所述升降装置的升降方向垂直。
[0022]一实施例中，所述监测装置的数量为至少三个，沿所述升降装置的升降方向，至少三个所述监测装置的投影区域呈三角形分布。
[0023]一实施例中，所述等离子体处理设备还包括预对齐装置，所述等离子体反应室配置为接收从所述预对齐装置取出的晶圆。
[0024]本申请实施例的等离子体处理设备，升降装置可以用来承载晶圆，传送机器人可以将晶圆送入等离子体反应室的工艺腔内并放置到升降装置上，升降装置承载晶圆。升降装置驱动晶圆下降到等离子体反应室底部的最终位置的过程中，晶圆支撑在升降装置上并随着升降装置的移动而移动，当监测装置测量到的晶圆在工艺腔内的位置偏差大于预设位置偏差，控制器接收并根据监测到的位置偏差输出控制信号，调节装置根据控制信号调节升降装置的位置从而实现对晶圆的位置的调节，以确保晶圆在工艺腔内的位置偏差能够小于或等于预设位置偏差，实现晶圆在工艺腔内的位置偏差的校正，因而在一定程度上提高了晶圆在工艺腔内的位置精度。
附图说明
[0025]图1为一种等离子体反应室与升降装置的结构示意图，图中示意出了晶圆传送至工艺腔前的状态；
[0026]图2为晶圆传送至图1所示等离子体反应室的工艺腔的状态示意图；
[0027]图3为相关技术的等离子体反应室与升降装置的结构示意图，图中示意出了工艺腔内的晶圆随升降装置下移至等离子体反应室底部的状态；
[0028]图4为本申请一实施例的等离子体处理设备的结构示意图；
[0029]图5为本申请一实施例的等离子体反应室以及监测装置的结构示意图；
[0030]图6为图5中的A向视图；
[0031]图7为图5中的B向视图；
[0032]图8为本申请一实施例的调节装置的结构示意图；
[0033]图9为图8中的C向视图；
[0034]图10为本申请一实施例中晶圆在预对齐装置和等离子体反应室之间进行传送的示意图。
[0035]附图标记说明：等离子体反应室1；工艺腔11；避让孔12；反应室主体13；上电极14；下电极15；升降柱21；监测装置3；发光器件31；感光器件32；调节装置4；承载平台41；一级承载台411；二级承载台412；驱动组件42；第一传动轴421；第二驱动件422；第二传动轴423；第三驱动件424；预对齐装置100；晶圆200。
具体实施方式
[0036]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的技术特征可以相互组合，具体实施方式中的详细描述应理解为本申请宗旨的解释说明，不应视为对本申请的不当限制。
[0037]在本申请实施例的描述中，“上”、“下”、“顶”、“底”、方位或位置关系为基于附图4所示的方位或位置关系。需要理解的是，这些方位术语仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0038]作为本申请创造性构思的一部分，在描述本申请的实施例之前，需对晶圆在等离子体反应室的工艺腔内的位置精度有待进一步提高的原因进行分析，通过合理分析得到本申请实施例的技术方案。
[0039]相关技术中，请参阅图1～图3，通过传送机器人将晶圆送入等离子体反应室1的工艺腔11内，图1为晶圆送入等离子体反应室1的工艺腔11前，等离子体反应室1的状态。图2是传送机器人将晶圆放置到工艺腔11内的升降装置上的状态。图3是晶圆随着升降装置下落后，工艺腔11内的晶圆下降到等离子体反应室1底部的最终位置的状态。图1～图3中示出了升降装置中的升降柱21。升降装置只能上升或下降。晶圆在工艺腔内的位置偏差无法获取。在传送机器人将晶圆放置到升降装置以及升降装置下降过程中，会使得晶圆引入新的位置偏差，主要表现为：晶圆从传送机器人放置到等离子体反应室1的工艺腔11内的升降装置上会带来新的位置偏差；升降装置下移，使工艺腔11内的晶圆下降到等离子体反应室1底部的最终位置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：等离子体反应室，形成有工艺腔；升降装置，配置为承载所述工艺腔内的晶圆并驱动所述晶圆上升或下降；监测装置，位于所述工艺腔内，所述监测装置配置为监测所述晶圆在工艺腔内的位置偏差；控制器，配置为接收所述监测装置监测到的位置偏差，并根据所述监测装置监测到的位置偏差输出控制信号；以及调节装置，配置为根据所述控制信号调节所述升降装置的位置以使所述晶圆在所述工艺腔内的位置偏差小于或等于预设位置偏差。2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述监测装置包括位于所述工艺腔内的发光器件和感光器件，所述发光器件配置为发出光束以监测所述晶圆在所述工艺腔内的位置偏差，所述感光器件配置为接收所述发光器件发出的光束，所述监测装置监测到的位置偏差为所述感光器件触发的信号。3.根据权利要求2所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述等离子体反应室形成有避让孔，所述升降装置包括第一驱动件以及位于所述避让孔内的升降柱，所述升降柱配置为承载所述晶圆，所述第一驱动件配置为驱动所述升降柱沿所述避让孔的轴向移动以使所述晶圆上升或下降，所述避让孔的直径大于所述发光器件照射到所述感光器件处形成的光斑直径的两倍。4.根据权利要求2所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述发光器件和所述感光器件沿所述升降装置的升降方向相对布...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国良，刘洋，刘孟勇，田然，何俊青，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：