SiC边缘环制造技术

本发明专利技术涉及一种在半导体制造工序中使用的半导体制造部件之一的边缘环，本发明专利技术的SiC边缘环包括：第一沉积部，其包括具有等离子体损伤部分和未损伤部分的SiC；以及第二沉积部，其包括形成在所述第一沉积部上的SiC，所述第一沉积部的损伤部分与所述第二沉积部之间的边界包括非平坦面。边界包括非平坦面。边界包括非平坦面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiC边缘环


[0001]本专利技术涉及一种在半导体制造工序中使用的半导体制造部件之一的边缘环，更具体地，涉及一种SiC边缘环，其通过使用等离子体来再生干式蚀刻设备的损坏的边缘环，以可以再次用于半导体制造工序。

技术介绍

[0002]通常，在半导体制造工序中使用的等离子体处理技术是干式蚀刻工序的一种，是使用气体来对目标进行蚀刻的方法。其工序是，向反应容器内注入蚀刻气体并进行离子化之后，向晶圆表面加速，来以物理、化学地去除晶圆表面。该方法易于调节蚀刻，生产率高，可以形成数十纳米(nm)级的微细图案，因而得到了广泛的应用。
[0003]为了等离子体处理技术的均匀蚀刻而要考虑的变量之一是对物体表面应用均匀的高频。均匀的高频的应用是一个必要因素，以在实际蚀刻工序中形成对整个晶圆表面的均匀的能量分布。这无法仅仅通过调节高频的输出就来实现，在很大程度上受到作为高频电极的工作台和阳极的形状以及实质上用作固定晶圆的边缘环等的影响。
[0004]所述边缘环用于在存在等离子体的恶劣条件下防止等离子体在等离子体处理装置的反应腔室中扩散，并限制在进行刻蚀处理的晶圆周围的等离子体。因此，边缘环总暴露于等离子体，其表面由于等离子体中的正离子蚀刻。因此，如果没有在适当的周期内替换边缘环，则在反应腔室中，由于对其边缘环的蚀刻而引起的蚀刻副产物的量增加，将会降低蚀刻工序的精度，并恶化产品的质量。因此，需要定期替换刻蚀而损伤的边缘环产品，并且，所有被替换的所述边缘环均按原样进行废弃。

技术实现思路

[0005]要解决的技术问题
[0006]根据本专利技术的一方面，本专利技术的目的在于解决上述问题，例如，通过减少由废弃半导体制造组件(如替换的边缘环)而产生的工业废物来为环保做贡献，并提供一种作为再生的半导体制造组件的边缘环，其可以减少最终半导体产品的生产成本。
[0007]此外，根据本专利技术的一方面，提供一种方法，其通过省略或简化不必要的工序，从而最小化在再生作为半导体制造组件的边缘环的过程中消耗的成本。
[0008]此外，根据本专利技术的一方面，在形成边缘环的沉积过程中，使用有效的方法堆叠多个SiC层，并提供一种堆叠多个层的SiC边缘环，即使在防止异常组织连续生长的各层间的边界处，其质量还是均匀也没有出现剥离等现象，且不必担心产生气孔孔或裂缝。然而，本专利技术要解决的问题并非受限于上述言及的问题，未言及的其他问题能够通过以下记载由本领域普通技术人员所明确理解。
[0009]解决问题的技术手段
[0010]本专利技术的SiC边缘环包括：第一沉积部，其包括具有等离子体损伤部分和未损伤部分的SiC；以及第二沉积部，其包括形成在所述第一沉积部上的SiC，所述第一沉积部的损伤
部分与所述第二沉积部之间的边界包括非平坦面。
[0011]根据本专利技术的一实施例，所述非平坦面可以是由于等离子体刻蚀而形成。
[0012]根据本专利技术的一实施例，在所述非平坦面中，由暴露于等离子体之前高度相同的部分形成的非平坦面的最高点与最低点的高度差可以是0.5mm至3mm。
[0013]根据本专利技术的一实施例，所述非平坦面的表面粗糙度可以是0.1μm至2.5μm。
[0014]根据本专利技术的一实施例，所述第一沉积部和所述第二沉积部的透射率可以各不相同。
[0015]根据本专利技术的一实施例，所述第一沉积部可以包括从石墨、反应烧结SiC、常压烧结SiC、热压SiC、再结晶SiC、化学气相沉积SiC、TaC及YaC组成的群组中选择的至少任一种。
[0016]根据本专利技术的一实施例，所述第一沉积部和第二沉积部的透射率之差可以大于所述第二沉积部中多个沉积的层之间的透射率之差。
[0017]根据本专利技术的一实施例，所述第一沉积部包括多个沉积的层，在所述第一沉积部的多个沉积的层的层之间的边界，透射率可以逐渐变化。
[0018]根据本专利技术的一实施例，还包括形成在所述第二沉积部上的第三沉积部，所述第二沉积部与所述第三沉积部之间的边界面可以包括非平坦面。
[0019]根据本专利技术的一实施例，所述第一沉积部、所述第二沉积部及所述第三沉积部的透射率各不相同，还包括形成在所述第二沉积部上的第三沉积部，在所述再生的SiC边缘环的断面中，所述第一沉积部与所述第二沉积部之间的边界线及所述第二沉积部与所述第三沉积部之间的边界线可以包括彼此平行的区段。
[0020]根据本专利技术的一实施例，所述第一沉积部可以包括分隔的至少两个结构体。
[0021]根据本专利技术的一实施例，所述第二沉积部可以包括分隔的至少两个结构体。
[0022]根据本专利技术的一实施例，所述分隔的至少两个结构体可以具有相同的透射率。
[0023]根据本专利技术的一实施例，所述第一沉积部形成未分隔的一个结构体，从所述SiC边缘环的外侧面到内侧面，所述第一沉积部的断面包括第一区域至第三区域，所述第一区域的平均厚度t1、所述第二区域的平均厚度t2及所述第三区域的平均厚度t3可以是t1>t3>t2。
[0024]根据本专利技术的一实施例，所述第二沉积部的平均厚度可以是0.5mm至3mm。
[0025]根据本专利技术的一实施例，在形成所述第二沉积部之前，可以对所述非平坦面进行表面加工处理。
[0026]专利技术的效果
[0027]根据本专利技术一实施例的SiC边缘环，可以省略不必要的过程，并以有效的方式再生用于半导体制造的再生组件之一的边缘环。由此，不需要废弃现有的由于等离子体蚀刻而被替换并废弃的半导体制造组件之一的SiC边缘环，反倒形成沉积部并再生为新组件，从而可以实现再循环。
[0028]根据本专利技术另一实施例的SiC边缘环，通过在替换后有待废弃的组件上形成新的沉积部，可以以相对较低的成本实现相当于替换新产品或更高的工序生产效率。
[0029]最终，本专利技术的实施例可以降低半导体产品的生产成本，减少工业废物的大量生产。
附图说明
[0030]图1为用于半导体生产工序的等离子体处理装置的SiC边缘环的透视图。
[0031]图2为显示在半导体生产工序的等离子体处理装置中，晶圆安装在半导体制造部件之一的SiC边缘环的结构的断面图。
[0032]图3为显示根据本专利技术一实施例的具有等离子体损伤部分和未损伤部分的SiC边缘环的第一沉积部的概略结构的断面图。
[0033]图4为显示根据本专利技术一实施例的在SiC边缘环的第一沉积部上形成第二沉积部，在第二沉积部上形成多个层的第三沉积部的概略结构的断面图。
[0034]图5a和5b为显示根据本专利技术另一实施例的在SiC边缘环的第一沉积部上形成第二沉积部，在第二沉积部上形成多个层的第三沉积部的概略结构的断面图。
[0035]图6为概略显示根据本专利技术一实施例的在SiC边缘环的第一沉积部上形成第二沉积部的过程的断面流程图。
[0036]图7为概略显示根据本专利技术一实施例的包括掩蔽步骤的在SiC边缘环的第一沉积部上形成第二沉积部的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种SiC边缘环，包括：第一沉积部，其包括具有等离子体损伤部分和未损伤部分的SiC；以及第二沉积部，其包括形成在所述第一沉积部上的SiC，所述第一沉积部的损伤部分与所述第二沉积部之间的边界包括非平坦面。2.根据权利要求1所述的SiC边缘环，所述非平坦面是由于等离子体刻蚀而形成。3.根据权利要求1所述的SiC边缘环，在所述非平坦面中，由暴露于等离子体之前高度相同的部分形成的非平坦面的最高点与最低点的高度差为0.5mm至3mm。4.根据权利要求1所述的SiC边缘环，所述非平坦面的表面粗糙度为0.1μm至2.5μm。5.根据权利要求1所述的SiC边缘环，所述第一沉积部和所述第二沉积部的透射率各不相同。6.根据权利要求1所述的SiC边缘环，所述第一沉积部包括从石墨、反应烧结SiC、常压烧结SiC、热压SiC、再结晶SiC、化学气相沉积SiC、TaC及YaC组成的群组中选择的至少任一种。7.根据权利要求6所述的SiC边缘环，所述第一沉积部和第二沉积部的透射率之差大于所述第二沉积部中多个沉积的层之间的透射率之差。8.根据权利要求1所述的SiC边缘环，所述第一沉积部包括多个沉积的层，在所述第一沉积部的多个沉积的层的层之间的边界，透射率逐渐变化。9.根据权利要求1所述的SiC边缘环，还包括：形成在所述第二沉积部...

【专利技术属性】
技术研发人员：金京俊，
申请(专利权)人：韩国东海炭素株式会社，
类型：发明
国别省市：