碳化钽复合材料制造技术

本发明专利技术涉及一种碳化钽复合材料，更具体地，涉及一种包括基材及形成在所述基材上的碳化钽膜的碳化钽复合材料，所述碳化钽膜的表面接触角为50

【技术实现步骤摘要】
碳化钽复合材料


[0001]本专利技术涉及一种碳化钽复合材料。

技术介绍

[0002]近年来，对一种能够在半导体工艺中最小化精确工艺控制及洗涤等工艺的部件材料有需求。即，主要用于SiC/AlN外延(Epitaxy)或SiC/AlN生长(Growth)等的高温生长设备使用辐射温度计测量温度，并将部件的表面作为辐射温度计目标(Target)使用，然而存在一个问题，即当工艺材料或粒子(Particle)等沉积在目标区域时，温度测量则变得不准确。
[0003]此外，当工艺材料容易沉积在部件上时，需要频繁地洗涤(Cleaning)部件，还影响部件的寿命，进一步地，其可能会降低半导体器件制造工艺的成品率。因此，需要一种部件材料，其可在半导体工艺中提高半导体器件的产率、防止异物及粒子等在部件材料表面上的吸附和沉积，并实现精确的工艺控制。
[0004]根据这些工业需求，当直接使用现有半导体工艺中使用的碳材料时，通常用于半导体制造设备的感受器(susceptor)部件存在一个问题，即碳材料被腐蚀性气体蚀刻，因此在碳结构表面使用涂有Sick或TaC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化钽复合材料，其特征在于，包括：基材；形成在所述基材上的碳化钽膜，其中，所述碳化钽膜的表面接触角为50
°
以上。2.根据权利要求1所述的碳化钽复合材料，其特征在于，所述碳化钽膜的表面接触角为65
°
至76
°
。3.根据权利要求1所述的碳化钽复合材料，其特征在于，所述碳化钽膜在X射线衍射分析中的(111)面优先生长。4.根据权利要求1所述的碳化钽复合材料，其特征在于，所述碳化钽膜包括(111)、(200)、(220)、(311)及(222)面的X射线衍射峰作为主峰，并且，根据以下关系式1的衍射强度比为1.5以上：[式1]I(111)/I((200)+(220)+(311)+(222))。5.根据权利要求1所述的碳化钽复合材料，其特征在于，所述碳化钽膜包括(111)、(200)、(220)、(311)及(222)面的X射线衍射峰作为主峰，并且，根据以下关系式1的衍射强度...

【专利技术属性】
技术研发人员：曺东完，
申请(专利权)人：韩国东海炭素株式会社，
类型：发明
国别省市：