晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供晶片的加工方法，稳定地实施在晶片的背面形成圆形凹部和环状凸部的所谓TAIKO磨削。该方法具有如下步骤：加工准备步骤(1001)，利用卡盘工作台对晶片进行保持，在主轴的下端固定直径相当于晶片的半径的粗磨削磨轮；限定磨削步骤(1002)，利用粗磨削磨轮对保持于卡盘工作台的晶片的除中央部分以外的与器件区域对应的晶片的背面进行磨削，形成环状凹部和中央凸部；位置调整步骤(1003)，使粗磨削磨轮离开晶片并朝向晶片的外周缘移动；以及圆形磨削步骤(1004)，对晶片的包含中央凸部在内的与器件区域对应的背面进行磨削，将中央凸部去除并形成圆形凹部，在晶片的与外周剩余区域对应的背面形成环状凸部。区域对应的背面形成环状凸部。区域对应的背面形成环状凸部。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法


[0001]本专利技术涉及晶片的加工方法，特别是进行所谓的TAIKO(注册商标)磨削的晶片的加工方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的轻薄短小化，形成有半导体器件的晶片的厚度被磨削加工至100μm以下。磨削后的晶片由于在磨削面产生的磨削变形而产生翘曲。在产生了翘曲的晶片的背面进行金属等的成膜非常困难，因此使用了仅对晶片的除外周缘以外的区域进行磨削而在晶片的背面形成与器件区域对应的圆形凹部和与外周剩余区域对应的环状凸部的所谓的TAIKO磨削技术(例如，参照专利文献1和专利文献2)。
[0003]专利文献1：日本特许第5390740号公报
[0004]专利文献2：日本特许第4758222号公报
[0005]在TAIKO磨削中，由于使用直径比晶片小的磨削磨轮，所以与直径大于等于晶片的通常的磨削磨轮相比，每一个磨削磨具的去除量相对变大，有时无法稳定地实施TAIKO磨削。并且，即使以相同的转速进行旋转，由于直径较小的原因，所以也同样存在难以提高旋转速度的倾向。
[0006]特别是，在背面上形成的氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面上具有在由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中形成有器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：加工准备步骤，利用具有对晶片进行保持的保持面并且能够旋转的卡盘工作台对晶片进行保持，将直径相当于晶片的半径的磨削磨轮固定在具有与该保持面垂直的旋转轴线的主轴的下端；限定磨削步骤，利用该磨削磨轮对保持于该卡盘工作台的晶片的除中央部分以外的与器件区域对应的晶片的背面进行磨削而形成环状凹部，并且在晶片的背面形成被该环状凹部包围的中央凸部；位置调整步骤，在实施了该限定磨削步骤之后，在使该磨削磨轮离开该晶片之后，使该磨削磨轮朝向晶片的外周...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井祐介，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：