晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供晶片的加工方法，稳定地实施在晶片的背面形成圆形凹部和环状凸部的所谓TAIKO磨削。该方法具有如下步骤：加工准备步骤(1001)，利用卡盘工作台对晶片进行保持，在主轴的下端固定直径相当于晶片的半径的粗磨削磨轮；限定磨削步骤(1002)，利用粗磨削磨轮对保持于卡盘工作台的晶片的除中央部分以外的与器件区域对应的晶片的背面进行磨削，形成环状凹部和中央凸部；位置调整步骤(1003)，使粗磨削磨轮离开晶片并朝向晶片的外周缘移动；以及圆形磨削步骤(1004)，对晶片的包含中央凸部在内的与器件区域对应的背面进行磨削，将中央凸部去除并形成圆形凹部，在晶片的与外周剩余区域对应的背面形成环状凸部。区域对应的背面形成环状凸部。区域对应的背面形成环状凸部。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法


[0001]本专利技术涉及晶片的加工方法，特别是进行所谓的TAIKO(注册商标)磨削的晶片的加工方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的轻薄短小化，形成有半导体器件的晶片的厚度被磨削加工至100μm以下。磨削后的晶片由于在磨削面产生的磨削变形而产生翘曲。在产生了翘曲的晶片的背面进行金属等的成膜非常困难，因此使用了仅对晶片的除外周缘以外的区域进行磨削而在晶片的背面形成与器件区域对应的圆形凹部和与外周剩余区域对应的环状凸部的所谓的TAIKO磨削技术(例如，参照专利文献1和专利文献2)。
[0003]专利文献1：日本特许第5390740号公报
[0004]专利文献2：日本特许第4758222号公报
[0005]在TAIKO磨削中，由于使用直径比晶片小的磨削磨轮，所以与直径大于等于晶片的通常的磨削磨轮相比，每一个磨削磨具的去除量相对变大，有时无法稳定地实施TAIKO磨削。并且，即使以相同的转速进行旋转，由于直径较小的原因，所以也同样存在难以提高旋转速度的倾向。
[0006]特别是，在背面上形成的氧化膜或氮化膜等难以磨削，有时主轴电动机的负载电流值超过规定值而无法稳定地实施TAIKO磨削。并且，所谓的高掺杂晶片也存在同样的倾向。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于，提供能够稳定地实施在晶片的背面形成与器件区域对应的圆形凹部和与外周剩余区域对应的环状凸部的所谓的TAIKO磨削的晶片的加工方法。
[0008]为了解决上述课题并达成目的，本专利技术的晶片的加工方法是在正面上具有在由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中形成有器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的加工方法，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：加工准备步骤，利用具有对晶片进行保持的保持面并且能够旋转的卡盘工作台对晶片进行保持，将直径相当于晶片的半径的磨削磨轮固定在具有与该保持面垂直的旋转轴线的主轴的下端；限定磨削步骤，利用该磨削磨轮对保持于该卡盘工作台的晶片的除中央部分以外的与器件区域对应的晶片的背面进行磨削而形成环状凹部，并且在晶片的背面形成被该环状凹部包围的中央凸部；位置调整步骤，在实施了该限定磨削步骤之后，在使该磨削磨轮离开该晶片之后，使该磨削磨轮朝向晶片的外周缘相对地移动；以及圆形磨削步骤，在实施了该位置调整步骤之后，使用该磨削磨轮对晶片的包含该中央凸部在内的与该器件区域对应的背面进行磨削，将晶片的与该器件区域对应的背面的该中央凸部去除并且形成圆形凹部，在晶片的与该外周剩余区域对应的背面形成环状凸部。
[0009]在所述晶片的加工方法中，也可以具有如下的精磨削步骤：在实施了该圆形磨削
步骤之后，利用精磨削磨轮将该圆形凹部磨削得更深，该精磨削磨轮具有利用粘接剂将比该磨削磨轮细的磨粒固定而得的磨削磨具。
[0010]在所述晶片的加工方法中，在该圆形磨削步骤中形成的该圆形凹部比在该限定磨削步骤中形成的该环状凹部形成得深。
[0011]本申请专利技术的晶片的加工方法起到了如下的效果：能够稳定地实施在晶片的背面形成与器件区域对应的圆形凹部和与外周剩余区域对应的环状凸部的所谓的TAIKO磨削。
附图说明
[0012]图1是作为实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图。
[0013]图2是示出在实施方式1的晶片的加工方法中使用的磨削装置的结构例的立体图。
[0014]图3是从下方示出图2所示的磨削装置的粗磨削单元和精磨削单元的立体图。
[0015]图4是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。
[0016]图5是示出在图4所示的晶片的加工方法的加工准备步骤中使晶片的正面与保护部件对置的状态的立体图。
[0017]图6是示出在图4所示的晶片的加工方法的加工准备步骤中在晶片的正面上粘贴了保护部件的状态的立体图。
[0018]图7是示意性地示出图4所示的晶片的加工方法的限定磨削步骤刚开始后的粗磨削磨轮和晶片的俯视图。
[0019]图8是用局部剖面示意性地示出使图7所示的粗磨削磨轮与晶片抵接的状态的侧视图。
[0020]图9是示意性地示出图4所示的晶片的加工方法的限定磨削步骤结束时的粗磨削磨轮和晶片的剖视图。
[0021]图10是示意性地示出图9所示的粗磨削磨轮和晶片的俯视图。
[0022]图11是用局部剖面示出在图4所示的晶片的加工方法的位置调整步骤中使粗磨削单元上升而使粗磨削磨轮从晶片分离的状态的侧视图。
[0023]图12用局部剖面示出使图11所示的粗磨削磨轮朝向晶片的外周缘相对移动的状态的侧视图。
[0024]图13是示意性地示出图12所示的粗磨削磨轮和晶片的俯视图。
[0025]图14是用局部剖面示意性地示出使图4所示的晶片的加工方法的圆形磨削步骤刚开始后的粗磨削磨轮与晶片抵接的状态的侧视图。
[0026]图15是用局部剖面示意性地示出图4所示的晶片的加工方法的圆形磨削步骤结束时的粗磨削磨轮和晶片的侧视图。
[0027]图16是示意性地示出图15所示的粗磨削磨轮和晶片的俯视图。
[0028]图17是示意性地示出在实施方式1的变形例的晶片的加工方法的限定磨削步骤中首先形成了环状凹部和中央凸部的状态的剖视图。
[0029]标号说明
[0030]7：卡盘工作台；32：粗磨削磨轮(磨削磨轮)；33：主轴；35：外径(直径)；38：旋转轴线；41：精磨削用的磨削磨具(磨削磨具)；42：精磨削磨轮(磨削磨轮)；71：保持面；200：晶片；201：背面；203：器件区域；204：外周剩余区域；205：正面；206：分割预定线；207：器件；
208：半径；211：圆形凹部；212：环状凸部；214：环状凹部；215：中央凸部；1001：加工准备步骤；1002：限定磨削步骤；1003：位置调整步骤；1004：圆形磨削步骤；1005：精磨削步骤。
具体实施方式
[0031]参照附图对用于实施本专利技术的方式(实施方式)进行详细说明。本专利技术并不限于以下实施方式中记载的内容。并且，在以下所记载的构成要素中包含有本
人员所容易想到的、实际上相同的构成要素。此外，以下记载的结构能够适当组合。并且，能够在不脱离本专利技术的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[0032]〔实施方式1〕
[0033]基于附图对本专利技术的实施方式1的晶片的加工方法进行说明。图1是实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图。图2是在实施方式1的晶片的加工方法中使用的磨削装置的结构例的立体图。图3是从下方示出图2所示的磨削装置的粗磨削单元和精磨削单元的立体图。图4是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。
[0034]实施方式1的晶片的加工方法是对图1所示的晶片200进行加工的方法。作为实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片200是以硅为原材料的圆板状的半导体晶片或以蓝宝石、SiC(碳化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面上具有在由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中形成有器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：加工准备步骤，利用具有对晶片进行保持的保持面并且能够旋转的卡盘工作台对晶片进行保持，将直径相当于晶片的半径的磨削磨轮固定在具有与该保持面垂直的旋转轴线的主轴的下端；限定磨削步骤，利用该磨削磨轮对保持于该卡盘工作台的晶片的除中央部分以外的与器件区域对应的晶片的背面进行磨削而形成环状凹部，并且在晶片的背面形成被该环状凹部包围的中央凸部；位置调整步骤，在实施了该限定磨削步骤之后，在使该磨削磨轮离开该晶片之后，使该磨削磨轮朝向晶片的外周...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井祐介，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：