存储器的存取方法、存储控制电路和存储系统技术方案

本发明专利技术涉及存储器的存取方法、存储控制电路和存储系统。通过沿列地址的方向布置块的两个或更多个完全列来在动态随机存取存储器的地址空间内设置存取区域，在所述完全列中存储单元的块布置在行地址的全部指定范围内。每一个块包括位于同一行地址和指定数量的连续列地址的存储单元。布置在存取区域中的块的总数量正好能够存储待存储的数据的字的数量。通过对布置在块的列的每一个中的块进行连续存取，来对块的两个或更多个完全列进行连续存取。因此，使动态随机存取存储器的刷新操作变得不必要。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及动态随机存取存储器的存取方法，以及使用该存取方 法来控制随机存取存储器的存储控制电路。本专利技术还涉及包括存储器 和存储控制电路的存储系统。
技术介绍
在常规图像处理电路中，构成帧的输入图像数据被临时存储在缓 冲存储器中，然后从该缓冲存储器读取、处理和输出。为此，动态随机存取存储器(DRAM)由于其低成本通常被用作 缓冲存储器。DRAM需要被周期j地刷新以便维持存储在DRAM的存储单元中的数据。然而，对存储单元的其中之一进行存取具有等同于对所访问 的单元和具有同一行地址的单元进行刷新的效果。日本专利特开2003-68072 (专利文献1)描述了一种用于存取 DRAM的技术。就是说，通过增加行地址来执行读/写。当行地址超过 最大行地址时，增加列地址并且将行地址初始化至零，以便地址在帧 周期期间被循环多次。因此DRAM的刷新循环变得不必要。
技术实现思路
要解决的问题然而，当操作温度较高时，维持数据所需的刷新周期可能变得短 于帧周期。在专利文献1描述的技术中，当图像数据的尺寸很大并且 行地址在每一个帧周期内两次或更多次达到最大行地址时，该行地址中的每一个在每一个帧周期内被存取本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对在地址空间中布置有存储单元的动态随机存取存储器的存取方法，该方法包括：　通过沿列地址的方向布置块的两个或更多个完全列，以及块的可选不完全列，来在所述地址空间内设置用于存储由指定数量的字组成的数据的存取区域，其中　所述块的每 一个包括位于同一行地址和指定数量的连续列地址处的多个所述存储单元；　块的所述完全列的每一个包括布置在行地址的指定范围中的全部中的第一数量的所述块，块的所述不完全列包括布置在行地址的所述指定范围中的一部分中的小于所述第一数量的所述块；以 及　布置在块的所述两个或更多个完全列中的所述块和布置在块的所述可选不完全列中的所述块的总数正好能够存储...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤慎祐，
申请(专利权)人：川崎微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]