封装基板及具有其的半导体结构制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，提出了一种封装基板及具有其的半导体结构。封装基板包括：本体和多个导电桥，本体包括开口区域；多个导电桥间隔地设置于开口区域，任意相邻导电桥具有相应的距离值；其中，至少两个距离值不相等。多个导电桥之间形成的多个距离值不都相等，即分布于开口区域内的某些导电桥相对较密，从而在对封装基板进行封装过程中，能够对封装树脂形成阻挡，以此减缓封装树脂的流动速率，保证开口区域内的气体能够及时排出，以此避免出现内部空洞问题，从而改善封装基板的性能。

【技术实现步骤摘要】
封装基板及具有其的半导体结构
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种封装基板及具有其的半导体结构。
技术介绍
芯片封装制造过程中，基板较为常用，在对基板进行封装处理时，由于其本身结构限定，封装过程中气体排出不及时，很容易出现内部空洞问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种封装基板及具有其的半导体结构，以改善封装基板的性能。根据本专利技术的第一个方面，提供了一种封装基板，包括：本体，本体包括开口区域；多个导电桥，多个导电桥间隔地设置于开口区域，任意相邻导电桥具有相应的距离值；其中，至少两个距离值不相等。在本专利技术的一个实施例中，相邻两个导电桥之间具有间隙，本体上设置有排气孔，排气孔与间隙相对设置。在本专利技术的一个实施例中，排气孔为多个，多个排气孔间隔地设置在本体上，且分别对应一个间隙。在本专利技术的一个实施例中，多个排气孔之间具有多个孔间距，孔间距为相邻两个排气孔之间的间距，至少两个孔间距不相等。在本专利技术的一个实施例中，多个孔间距均不相同，多个孔间距沿开口区域的第一长度方向逐渐增加。在本专利技术的一个实施例中，最大孔间距的相邻两个排气孔之间的相邻两个导电桥之间具有最大距离值。在本专利技术的一个实施例中，相邻两个排气孔之间具有至少两个导电桥。在本专利技术的一个实施例中，至少相邻两个排气孔之间具有至少三个导电桥，且导电桥形成的至少两个距离值均相等。在本专利技术的一个实施例中，排气孔包括第一排气孔、第二排气孔以及第三排气孔，第一排气孔、第二排气孔以及第三排气孔依次设置，第一排气孔和第二排气孔之间具有多个导电桥，第二排气孔与第三排气孔之间具有多个导电桥；其中，第一排气孔和第二排气孔之间的相邻导电桥具有的距离值不等于第二排气孔与第三排气孔之间的相邻导电桥具有的距离值。在本专利技术的一个实施例中，本体还包括锡球区域，锡球区域位于开口区域的外侧，封装基板还包括导电层，导电层位于锡球区域内；其中，本体的表面包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域沿开口区域的长度方向依次分布，第一区域和第二区域内均包含有导电桥和导电层，第一区域内的导电桥和导电层的面积之和与第二区域内的导电桥和导电层的面积之和的比率小于1.1，或第二区域内的导电桥和导电层的面积之和与第一区域内的导电桥和导电层的面积之和的比率小于1.1。在本专利技术的一个实施例中，第一区域内的导电桥的面积大于第二区域内的导电桥的面积，第一区域内的导电层的面积小于第二区域内的导电桥的面积。在本专利技术的一个实施例中，多个导电桥包括：第一导电桥，第一导电桥上设置有第一通孔。在本专利技术的一个实施例中，第一通孔为多个，多个第一通孔间隔地设置在第一导电桥上。在本专利技术的一个实施例中，多个导电桥还包括：第二导电桥；第三导电桥，第一导电桥、第二导电桥以及第三导电桥依次设置，且第一导电桥和第二导电桥之间的距离值不等于第二导电桥与第三导电桥之间的距离值。在本专利技术的一个实施例中，第二导电桥上设置有第二通孔，第三导电桥上设置有第三通孔。根据本专利技术的第二个方面，提供了一种封装基板，包括：本体，本体包括开口区域；多个导电桥，多个导电桥包括第一导电桥、第二导电桥以及第三导电桥，第一导电桥、第二导电桥以及第三导电桥依次设置于开口区域；其中，第一导电桥和第二导电桥之间的距离值不等于第二导电桥与第三导电桥之间的距离值。根据本专利技术的第三个方面，提供了一种封装基板，包括：本体，本体包括开口区域，开口区域包括相对的第一侧壁和第二侧壁，封装胶能够由第一侧壁进入开口区域并流动至第二侧壁；多个导电桥，多个导电桥间隔地设置于开口区域；其中，多个导电桥中靠近第一侧壁的导电桥的排列密度大于靠近第二侧壁的导电桥的排列密度。根据本专利技术的第四个方面，提供了一种半导体结构，包括上述的封装基板和芯片。本专利技术的封装基板通过在本体上形成有开口区域，且开口区域内设置有多个间隔的导电桥，能够增强导电桥信号传输品质。且由于多个导电桥之间形成的多个距离值不都相等，即分布于开口区域内的某些导电桥相对较密，从而在对封装基板进行封装过程中，能够对封装树脂形成阻挡，以此减缓封装树脂的流动速率，保证开口区域内的气体能够及时排出，以此避免出现内部空洞问题，从而改善封装基板的性能。附图说明通过结合附图考虑以下对本专利技术的优选实施方式的详细说明，本专利技术的各种目标，特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本专利技术的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：图1是根据一示例性实施方式示出的一种封装基板的结构示意图；图2是根据一示例性实施方式示出的一种封装基板的第一导电桥的第一个实施例的结构示意图；图3是根据一示例性实施方式示出的一种封装基板的第一导电桥的第二个实施例的结构示意图；图4是根据一示例性实施方式示出的一种封装基板的第一导电桥的第三个实施例的结构示意图；图5是根据一示例性实施方式示出的一种封装基板的第一导电桥的第四个实施例的结构示意图；图6是根据一示例性实施方式示出的一种封装基板的第一导电桥的第五个实施例的结构示意图；图7是根据一示例性实施方式示出的一种封装基板的第一导电桥的第六个实施例的结构示意图。附图标记说明如下：10、本体；11、开口区域；111、第一侧壁；112、第二侧壁；12、间隙；13、排气孔；14、第一区域；141、第一切除通孔；15、第二区域；151、第二切除通孔；16、锡球区域；21、第一导电桥；211、第一通孔；212、第一桥接段；213、第二桥接段；214、第三桥接段；22、第二导电桥；221、第二通孔；23、第三导电桥；231、第三通孔；30、导电层。具体实施方式体现本专利技术特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本专利技术能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本专利技术的范围，且其中的说明及附图在本质上是作说明之用，而非用以限制本专利技术。在对本专利技术的不同示例性实施方式的下面描述中，参照附图进行，附图形成本专利技术的一部分，并且其中以示例方式显示了可实现本专利技术的多个方面的不同示例性结构，系统和步骤。应理解的是，可以使用部件，结构，示例性装置，系统和步骤的其他特定方案，并且可在不偏离本专利技术范围的情况下进行结构和功能性修改。而且，虽然本说明书中可使用术语“之上”，“之间”，“之内”等来描述本专利技术的不同示例性特征和元件，但是这些术语用于本文中仅出于方便，例如根据附图中的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本专利技术的范围内。本专利技术的一个实施例提供了一种封装基板，请参考图1，封装基板包括：本体10，本体10包括开口区域11；多个导电桥，多个导电桥间隔地设置于开口区域11，任意相邻导电桥具有相应的距离值；其中，至少两个距离值不相等。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装基板，其特征在于，包括：/n本体，所述本体包括开口区域；/n多个导电桥，多个所述导电桥间隔地设置于所述开口区域，任意相邻所述导电桥具有相应的距离值；/n其中，至少两个所述距离值不相等。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装基板，其特征在于，包括：
本体，所述本体包括开口区域；
多个导电桥，多个所述导电桥间隔地设置于所述开口区域，任意相邻所述导电桥具有相应的距离值；
其中，至少两个所述距离值不相等。


2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，相邻两个所述导电桥之间具有间隙，所述本体上设置有排气孔，所述排气孔与所述间隙相对设置。


3.根据权利要求2所述的封装基板，其特征在于，所述排气孔为多个，多个所述排气孔间隔地设置在所述本体上，且分别对应一个所述间隙。


4.根据权利要求3所述的封装基板，其特征在于，多个所述排气孔之间具有多个孔间距，所述孔间距为相邻两个所述排气孔之间的间距，至少两个所述孔间距不相等。


5.根据权利要求4所述的封装基板，其特征在于，多个所述孔间距均不相同，多个所述孔间距沿所述开口区域的第一长度方向逐渐增加。


6.根据权利要求4所述的封装基板，其特征在于，最大所述孔间距的相邻两个所述排气孔之间的相邻两个所述导电桥之间具有最大所述距离值。


7.根据权利要求3所述的封装基板，其特征在于，相邻两个所述排气孔之间具有至少两个所述导电桥。


8.根据权利要求7所述的封装基板，其特征在于，至少相邻两个所述排气孔之间具有至少三个所述导电桥，且所述导电桥形成的至少两个所述距离值均相等。


9.根据权利要求3所述的封装基板，其特征在于，所述排气孔包括第一排气孔、第二排气孔以及第三排气孔，所述第一排气孔、所述第二排气孔以及第三排气孔依次设置，所述第一排气孔和所述第二排气孔之间具有多个所述导电桥，所述第二排气孔与所述第三排气孔之间具有多个所述导电桥；
其中，所述第一排气孔和所述第二排气孔之间的相邻所述导电桥具有的所述距离值不等于所述第二排气孔与所述第三排气孔之间的相邻所述导电桥具有的所述距离值。


10.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述本体还包括锡球区域，所述锡球区域位于所述开口区域的外侧，所述封装基板还包括导电层，所述导电层位于所述锡球区域内；
其中，所述本体的表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海林，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34