浅沟槽隔离结构的制作方法技术

本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，浅沟槽隔离结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层；在氮氧化硅层上形成依次贯穿氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层和部分衬底的凹槽；向凹槽填充氧化硅以形成浅沟槽隔离；采用酸蚀剂将氮氧化硅层和氮化硅层去除，以露出氧化硅层。通过采用酸蚀剂同时将氮氧化硅层和氮化硅层去除，相对于现有的采用干法刻蚀去除氮氧化硅层的方案，一方面，减少了干法刻蚀以及湿法清洗的工序，从而降低了成本，另一方面，相对干法刻蚀，采用酸蚀剂的工艺成本较低，进一步降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
浅沟槽隔离结构的制作方法
本专利技术属于半导体元器件
，具体涉及一种浅沟槽隔离结构的制作方法。
技术介绍
在半导体集成电路(IC)器件中，一般使用浅沟槽隔离(STI，ShallowTrenchInsulation)结构作为隔离区，以使IC器件中包含的多种分立电路元件均能够独立工作。现有技术中，一般用氮化硅层和氮氧化硅层作为掩膜来制作浅沟槽隔离结构，在填充形成浅沟槽隔离后，需要将氮化硅层以及氮氧化硅层去掉。对于氮氧化硅层，目前是通过干法刻蚀(DryEtch)来去除氮氧化硅层，由于干法刻蚀会产生一些聚合物，因此后续还要通过湿法清洗将聚合物清除，工序过于复杂。而且，干法刻蚀以及湿法清洗的工艺成本过高。
技术实现思路
本申请提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法，解决了现有技术中的浅沟槽隔离结构的制作成本过高以及工序过于复杂的问题。第一方面，本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，浅沟槽隔离结构的制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层；在所述氮氧化硅层上形成依次贯穿所述氮氧化硅层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上依次形成氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层；/n在所述氮氧化硅层上形成依次贯穿所述氮氧化硅层、所述氮化硅层、所述氧化硅层和部分所述衬底的凹槽；/n向所述凹槽填充氧化硅以形成浅沟槽隔离；/n采用酸蚀剂将所述氮氧化硅层和所述氮化硅层去除，以露出所述氧化硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上依次形成氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层；
在所述氮氧化硅层上形成依次贯穿所述氮氧化硅层、所述氮化硅层、所述氧化硅层和部分所述衬底的凹槽；
向所述凹槽填充氧化硅以形成浅沟槽隔离；
采用酸蚀剂将所述氮氧化硅层和所述氮化硅层去除，以露出所述氧化硅层。


2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述酸蚀剂包括磷酸溶液。


3.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述采用酸蚀剂将所述氮氧化硅层和所述氮化硅层去除，以露出所述氧化硅层，包括：
控制所述酸蚀剂中硅离子的浓度，以调控所述氧化硅层和所述浅沟槽隔离中的氧化硅的溶解的程度。


4.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述硅离子的浓度85ppm～95ppm。


5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述控制所述酸蚀剂中硅离子的浓度，以调控所述氧化硅层和所述浅沟槽隔离中的氧化硅的溶解的程度，包括：
当所述硅离子的浓度超过95ppm时，向所述酸蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡俊，王二伟，赵健材，李君，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42