深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供一种深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法，在所述深沟槽隔离结构的形成方法中，通过先形成浅沟槽隔离结构，然后，在第二绝缘层和所述浅沟槽隔离结构上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层中具有一开口，所述开口对准所述浅沟槽隔离结构，并且所述开口的宽度小于所述浅沟槽隔离结构的宽度；接着，以所述图形化的光刻胶层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺依次刻蚀所述浅沟槽隔离结构和第一绝缘层，以形成深沟槽，由于，在刻蚀浅沟槽隔离结构和第一绝缘层时，采用湿法刻蚀工艺，由此，可以避免产生副产物，从而可以避免形成的深沟槽隔离结构与所述半导体衬底之间存在副产物，进而可以避免造成污染。

【技术实现步骤摘要】
深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法。
技术介绍
随着集成电路的内部元件的积集度(integration)不断地提升，相邻元件之间的距离缩短，相邻元件之间电子干扰的可能性也随之提高，为此，必须有适当的隔离结构，以避免电子元件之间的互相干扰。通常将深度为3μm以上的沟槽称为深沟槽。深沟槽隔离结构在现今的半导体技术中得到较为广泛的应用，深沟槽隔离结构具有良好的隔离性，可以使得各种器件例如模拟、数字和高压等集成在一起，而不会引起干扰。例如，深沟槽隔离结构可以隔绝不同操作电压的电子器件。参考附图1～3所示，图1～图3为现有的深沟槽隔离结构的形成方法中形成的结构示意图。现有的深沟槽隔离结构形成的方法通常包括：首先，如图1所示，提供一半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有氧化层11；接着，如图2所示，对所述氧化层11进行刻蚀，以在氧化层11中形成深沟槽12，接着，如图3所示，在所述深沟槽12中填充隔离层，以形成深沟槽隔离结构13。但在上述步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一绝缘层、半导体层和第二绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述半导体衬底；/n形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构贯穿所述第二绝缘层和所述半导体层；/n在所述第二绝缘层和所述浅沟槽隔离结构上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层中具有一开口，所述开口对准所述浅沟槽隔离结构，并且所述开口的宽度小于所述浅沟槽隔离结构的宽度；/n以所述图形化的光刻胶层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺依次刻蚀所述浅沟槽隔离结构和所述第一绝缘层，以形成深沟槽；以及/n在所述深沟槽中填充隔离层，以形成深沟槽隔离结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种深沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一绝缘层、半导体层和第二绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述半导体衬底；
形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构贯穿所述第二绝缘层和所述半导体层；
在所述第二绝缘层和所述浅沟槽隔离结构上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层中具有一开口，所述开口对准所述浅沟槽隔离结构，并且所述开口的宽度小于所述浅沟槽隔离结构的宽度；
以所述图形化的光刻胶层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺依次刻蚀所述浅沟槽隔离结构和所述第一绝缘层，以形成深沟槽；以及
在所述深沟槽中填充隔离层，以形成深沟槽隔离结构。


2.如权利要求1所述的深沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述深沟槽隔离结构的宽度小于所述浅沟槽隔离结构的宽度。


3.如权利要求1所述的深沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在采用湿法刻蚀工艺依次刻蚀所述浅沟槽隔离结构和所述第一绝缘层时，采用的刻蚀溶液为酸性溶液，刻蚀时间为100s～180s。


4.如权利要求1所述的深沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质均为氧化硅，所述半导体层的材质为硅。


5.如权利要求1所述的深沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在形成所述深沟槽之后，在所述深沟槽中填充隔离层之前，所述深沟槽隔离结构的形成方法还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘张李，蒙飞，刘宪周，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31