SOI衬底的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种SOI衬底的处理方法，包括步骤：步骤一、提供SOI衬底，底部半导体层的体掺杂浓度根据SOI器件工艺需求设置；步骤二、进行背面掺杂离子注入以增加底部半导体层背面的掺杂浓度，底部半导体层背面的掺杂浓度根据增加底部半导体层和静电卡盘的静电吸附力的要求设置。本发明专利技术能很好的防止SOI衬底在具有静电卡盘的工艺腔产生掉片，从而能提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
SOI衬底的处理方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种绝缘层上半导体(Semiconductor-On-Insulator，SOI)衬底的处理方法。
技术介绍
SOI衬底是由底部半导体层、绝缘埋层和顶部半导体层叠加而成，底部半导体层和顶部半导体层通常采用硅材料组成，绝缘埋层通常采用二氧化硅，顶部半导体层的厚度较薄且由于绝缘埋层的作用而不会受到底部半导体层的影响。SOI工艺中，半导体器件是形成于SOI衬底上即SOI衬底的顶层半导体层上，由于顶层半导体层厚度减薄，故能减少器件的寄生效应，能提升器件的运行速度以及减少功耗。SOI工艺在射频等领域有着广泛的应用，但是在应用过程中需要采用高阻值如电阻率>1000Ω·cm的基底即底部半导体层来满足元器件的性能要求。在实际生产过程中，SOI衬底晶圆(wafer)容易产生掉片。如图1A所示，是现有SOI衬底晶圆在具有静电卡盘(E-chuck)的工艺腔(processchamber)被固定时的第一种状态结构图；SOI衬底晶圆101通过静电卡盘102固定，静电卡盘1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SOI衬底的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、提供SOI衬底，所述SOI衬底由底部半导体层、绝缘埋层和顶部半导体层叠加而成；/n所述底部半导体层的体掺杂浓度根据SOI器件工艺需求设置；/n在具有静电卡盘的工艺腔中所述底部半导体层的背面为和所述静电卡盘相接触并实现静电吸附的表面；/n步骤二、从所述底部半导体层的背面进行背面掺杂离子注入以增加所述底部半导体层背面的掺杂浓度，所述底部半导体层背面的掺杂浓度根据增加所述底部半导体层和所述静电卡盘的静电吸附力的要求设置，以使所述底部半导体层在具有所述静电卡盘的所述工艺腔不会掉片。/n

【技术特征摘要】
1.一种SOI衬底的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供SOI衬底，所述SOI衬底由底部半导体层、绝缘埋层和顶部半导体层叠加而成；
所述底部半导体层的体掺杂浓度根据SOI器件工艺需求设置；
在具有静电卡盘的工艺腔中所述底部半导体层的背面为和所述静电卡盘相接触并实现静电吸附的表面；
步骤二、从所述底部半导体层的背面进行背面掺杂离子注入以增加所述底部半导体层背面的掺杂浓度，所述底部半导体层背面的掺杂浓度根据增加所述底部半导体层和所述静电卡盘的静电吸附力的要求设置，以使所述底部半导体层在具有所述静电卡盘的所述工艺腔不会掉片。


2.如权利要求1所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：步骤一中，根据所述SOI器件工艺需求，所述底部半导体层的体掺杂浓度对应电阻率大于1000Ω·cm。


3.如权利要求2所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：步骤二中，所述背面掺杂离子注入的注入杂质为P型杂质或者为N型杂质。


4.如权利要求3所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：所述背面掺杂离子注入的注入杂质为P型杂质时，P型杂质包括B，注入能量为5keV～400keV，注入剂量为5E11cm-2～5E13cm-2。


5.如权利要求3所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：所述背面掺杂离子注入的注入杂质为N型杂质时，N型杂质包括P，注入能量为8keV～800keV，注入剂量为5E11cm-2～5E13cm-2。


6.如权利要求1至5中任一权项所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：步骤二完成后，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐怡，蒙飞，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32