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本发明公开了一种SOI衬底的处理方法，包括步骤：步骤一、提供SOI衬底，底部半导体层的体掺杂浓度根据SOI器件工艺需求设置；步骤二、进行背面掺杂离子注入以增加底部半导体层背面的掺杂浓度，底部半导体层背面的掺杂浓度根据增加底部半导体层和静电卡...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。