半导体结构的形成方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，涉及半导体制备的技术领域，方法包括以下步骤：在半导体堆叠结构的上表面形成掩模层，在掩模层上方形成光阻层；在光阻层上形成第一开口结构；通过湿法刻蚀，在掩模层中形成第二开口结构；以光阻层为掩模，利用干法等离子体刻蚀方式刻蚀半导体堆叠结构，在半导体堆叠结构中形成凹槽结构；对凹槽结构的底部和侧壁进行氧化处理，在凹槽结构的底部和侧壁形成钝化层；去除光阻层，以掩模层为掩模进行离子注入，在凹槽结构的侧壁和底部的外周形成高阻区。通过本发明专利技术形成的电流隔离结构，能够在不增加掩模工序的基础上，进一步提高隔离性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法及半导体结构
本专利技术涉及半导体制备的
，尤其是涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。
技术介绍
在半导体结构中，为了防止电流扩散或者避免电流朝着不需要的方向扩展，常常会涉及到电流隔离结构。常见的防止电流横向扩展的隔离的结构包括在制作工艺中通过刻蚀(腐蚀)引入深隔离槽或离子注入形成高阻区等方法。但常见的防止电流横向扩展的隔离结构在离子注入形成高阻区时，由于离子注入能量较大，成本较高，且效率较低；通过刻蚀(腐蚀)形成深隔离槽时，由于形成隔离槽的侧壁具有损伤和缺陷，会直接影响电流的隔离效果。因此，需要在半导体结构中形成一种新的电流隔离结构，防止电流的横向扩展，以提高半导体结构的稳定性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，以缓解现有的半导体结构的电流隔离效果差的技术问题。本专利技术实施例提供的一种半导体结构的形成方法，包括以下步骤：S1.在半导体堆叠结构的上表面形成掩模层，在掩模层上方形成光阻层；S2.通过曝光显影处理，在光阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1.在半导体堆叠结构(100)的上表面形成掩模层(300)，在掩模层(300)上方形成光阻层(400)；/nS2.通过曝光显影处理，在光阻层(400)上形成第一开口结构(410)；/nS3.通过湿法刻蚀，在掩模层(300)中形成第二开口结构(310)，所述第二开口结构(310)位于第一开口结构(410)的下方，且所述第二开口结构(310)的宽度大于第一开口结构(410)的宽度；/nS4.以光阻层(400)为掩模，利用干法等离子体刻蚀方式刻蚀半导体堆叠结构(100)，在半导体堆叠结构(100)中形成凹槽结构(500)；/nS5.对凹槽...

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.在半导体堆叠结构(100)的上表面形成掩模层(300)，在掩模层(300)上方形成光阻层(400)；
S2.通过曝光显影处理，在光阻层(400)上形成第一开口结构(410)；
S3.通过湿法刻蚀，在掩模层(300)中形成第二开口结构(310)，所述第二开口结构(310)位于第一开口结构(410)的下方，且所述第二开口结构(310)的宽度大于第一开口结构(410)的宽度；
S4.以光阻层(400)为掩模，利用干法等离子体刻蚀方式刻蚀半导体堆叠结构(100)，在半导体堆叠结构(100)中形成凹槽结构(500)；
S5.对凹槽结构(500)的底部和侧壁进行氧化处理，在凹槽结构(500)的底部和侧壁形成钝化层(600)；
S6.去除光阻层(400)，以掩模层(300)为掩模进行离子注入，在凹槽结构(500)的侧壁和底部的外周形成高阻区(700)；
S7.去除掩模层(300)，在凹槽结构(500)的开口形成绝缘覆盖层(800)，所述绝缘覆盖层(800)封闭凹槽结构(500)的开口，以使凹槽结构(500)内部形成空气间隙(900)。


2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述步骤S7中，通过快速沉积或旋涂工艺形成所述绝缘覆盖层(800)。


3.根据权利要求1所述的半导体结...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国文，唐松，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32