半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的形成方法，通过先形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构贯穿半导体层；然后，依次刻蚀所述浅沟槽隔离结构及绝缘层，以形成深沟槽；形成金属硅化物层，所述金属硅化物层覆盖所述深沟槽的底壁及所述半导体层的顶表面；形成介质层，所述介质层填充所述深沟槽并覆盖所述金属硅化物层；对所述介质层执行平坦化工艺，并停止在位于所述半导体层上方的所述介质层中。由于在对所述介质层执行平坦化工艺时，所述平坦化工艺停止在位于所述半导体层上方的所述介质层中，即在所述半导体层上方保留一部分厚度的所述介质层，由此，可以避免平坦化工艺损伤所述半导体层的形貌，从而提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
随着集成电路的内部元件的积集度(integration)不断地提升，相邻元件之间的距离缩短，相邻元件之间电子干扰的可能性也随之提高，为此，必须有适当的沟槽进行隔离，以避免电子元件之间的互相干扰。通常将深度为3μm以上的沟槽称为深沟槽。在现有技术中，形成深沟槽的方法包括：步骤一，提供衬底，所述衬底上依次形成有绝缘层和半导体层；步骤二，刻蚀所述半导体层和所述绝缘层，以形成深沟槽；步骤三，在所述深沟槽中填充介质层，所述介质层延伸覆盖所述绝缘层，步骤四，平坦化所述介质层至所述半导体层的顶表面，以形成深沟槽隔离结构。但在上述步骤三中，填充在深沟槽中的介质层的厚度与位于绝缘层上的介质层的厚度相同，即绝缘层上的介质层较厚，因此在步骤四中，在平坦化所述介质层时，研磨量较大，导致平坦化工艺不易控制，由此会对半导体层造成损伤，影响半导体层的形貌，在后续的工艺中，会导致半导体层与外部电路接触不良，从而会影响半导体器件的性能。>
技术实现思路
...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有绝缘层和半导体层，所述绝缘层覆盖所述半导体衬底；/n形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构贯穿所述半导体层；/n依次刻蚀所述浅沟槽隔离结构及所述绝缘层，以形成深沟槽；/n形成金属硅化物层，所述金属硅化物层覆盖所述深沟槽的底壁及所述半导体层的顶表面；/n形成介质层，所述介质层填充所述深沟槽并覆盖所述金属硅化物层；/n对所述介质层执行平坦化工艺，并停止在位于所述半导体层上方的所述介质层中。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有绝缘层和半导体层，所述绝缘层覆盖所述半导体衬底；
形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构贯穿所述半导体层；
依次刻蚀所述浅沟槽隔离结构及所述绝缘层，以形成深沟槽；
形成金属硅化物层，所述金属硅化物层覆盖所述深沟槽的底壁及所述半导体层的顶表面；
形成介质层，所述介质层填充所述深沟槽并覆盖所述金属硅化物层；
对所述介质层执行平坦化工艺，并停止在位于所述半导体层上方的所述介质层中。


2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，依次刻蚀所浅沟槽隔离结构及所述绝缘层的方法包括：
形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述浅沟槽隔离结构及所述半导体层；
在所述掩膜层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层中具有一开口，所述开口对准所述浅沟槽隔离结构；
以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述掩膜层、所述浅沟槽隔离结构及所述绝缘层，以形成深沟槽；
去除所述掩膜层及所述图形化的光刻胶层。


3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，依次刻蚀所述掩膜层、所述浅沟槽隔离结构及所述绝缘层的方法包括：
执行第一刻蚀工艺，依次刻蚀所述掩膜层、所述浅沟槽隔离结构及部分厚度的所述绝缘层，以形成深沟槽；以及
执行第二刻蚀工艺，刻蚀所述深沟槽底部的所述绝缘层，以使所述深沟槽贯穿所述绝缘层。


4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺为干法刻蚀工艺，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘张李，蒙飞，刘宪周，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31