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本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，浅沟槽隔离结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层；在氮氧化硅层上形成依次贯穿氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层和部分衬底的凹槽；向凹槽填充氧化硅以形成浅沟槽隔离；采...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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