晶圆量测方法、装置、介质和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种晶圆量测方法、装置、介质和电子设备，所述量测方法包括：获取晶圆量测区域图像；识别所述晶圆量测区域图像中的特征标记；确定所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的实际位置；根据所述特征标记的实际位置与所述特征标记的标准位置确定所述特征标记的偏移量；根据所述特征标记的偏移量确定所述晶圆量测区域图像中量测点的偏移量。本发明专利技术方案能够实时判别并发现量测点位的偏移问题，有利于及时调整量测位置，从而保证量测结果的准确性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆量测方法、装置、介质和电子设备
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种晶圆量测方法、装置、计算机可读存储介质和电子设备。
技术介绍
半导体工厂普遍面临制程多，工艺复杂的问题，为保证晶圆的质量，需要对晶圆的关键尺寸等参数进行量测，从而能够及时侦测到产线是否存在异常，晶圆的量测对于保持制程稳定，降低生产成本具有至关重要的作用。大多数量测机台需要在晶圆上定点量测，量测点的偏移会造成机台作业量的增加，影响正常制程的进行，进而造成产品良率的下降。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种晶圆量测方法、装置、计算机可读存储介质和电子设备。本专利技术的其它特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。根据本专利技术实施例的第一方面，提供了一种晶圆量测方法，所述方法适用于图案化后的晶圆，包括：获取晶圆量测区域图像；识别所述晶圆量测区域图像中的特征标记；确定所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的实际位置；根据所述特征标记的实际位置与所述特征标记的标准位置确定所述特征标记的偏移量；根据所述特征标记的偏移量确定所述晶圆量测区域图像中量测点的偏移量。在一个实施例中，所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的特征唯一。在一个实施例中，根据所述特征标记在所述晶圆量测区域图像对应的版图中的位置确定所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的标准位置。在一个实施例中，根据所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的所述实际位置与所述标准位置计算得到所述特征标记的偏移量。在一个实施例中，所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的所述实际位置和所述标准位置包括所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的实际位置的中心坐标与所述标准位置的中心坐标。在一个实施例中，所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的所述实际位置与所述标准位置的偏移量为所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的实际位置的中心坐标与所述标准位置的中心坐标的偏移量。在一个实施例中，还包括：在无法识别所述晶圆量测区域图像中的所述特征标记时，提示所述量测点发生偏移。在一个实施例中，还包括：根据所述量测点及机台量测光斑的尺寸设置所述偏移量的预设范围。在一个实施例中，所述量测点及所述机台量测光斑的尺寸大小固定。在一个实施例中，所述量测点的尺寸为测量点的长度或宽度，所述量测光斑的尺寸为量测光斑的直径。在一个实施例中，所述量测点的偏移量在预设范围内时，不发出提示或提示所述量测点未发生偏移。在一个实施例中，所述量测点的偏移量超出预设范围时，输出报警信息或提示所述量测点发生偏移。根据本专利技术实施例的第二方面，提供了一种晶圆量测装置，包括：获取模块，用于获取晶圆量测区域图像；识别模块，用于识别所述晶圆量测区域图像中的特征标记；确定模块，用于确定所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的实际位置；分析模块，用于根据所述特征标记的实际位置与所述特征标记的标准位置确定所述特征标记的偏移量，并根据所述特征标记的偏移量确定所述晶圆量测区域图像中量测点的偏移量。根据本专利技术实施例的第三方面，提供了一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储装置，配置为存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述一个或多个处理器实现如上方法中任一项所述的方法。根据本专利技术实施例的第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上方法中任一项所述的方法。本专利技术实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：在本专利技术的一些实施例所提供的技术方案中，根据特征标记的实际位置与所述特征标记的标准位置确定所述特征标记的偏移量，由于特征标记与量测点的相对位置固定，因此可以通过特征标记的偏移量确定所述晶圆量测区域图像中量测点的偏移量。本专利技术方案能够实时判别并发现量测点位的偏移问题，有利于及时调整量测位置，从而保证量测结果的准确性。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。在附图中：图1示意性示出了本专利技术示例性实施方式的一种晶圆量测方法；图2示出了本公开一个实施例中晶圆量测区域图像的示意图；图3示出了本公开一个实施例中的特征标记的示意图；图4示出了本公开一个实施例中晶圆量测区域图像的示意图；图5示出了本公开一个实施例中晶圆量测区域图像的示意图；图6示出了本公开一个实施例中晶圆量测的流程示意图；图7示出了本公开一个实施例中的一种晶圆量测装置；图8示出了本公开一个实施例中电子设备的计算机系统。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例性实施方式。然而，示例性实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本专利技术将更加全面和完整，并将示例性实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的模块翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”“左”“右”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。半导体工厂普遍面临制程多，工艺复杂的问题，为保证晶圆的质量，需要对晶圆的关键尺寸等参数进行量测，从而能够及时侦测到产线是否存在异常，晶圆的量测对于保持制程稳定，降低生产成本具有至关重要的作用。大多数量测机台需要在晶圆上定点量测，量测点的偏移会造成机台作业量的增加，影响正常制程的进行，进而造成产品良率的下降。为解决以上问题，本专利技术提供一种晶圆量测方法，用于判断晶圆量测点是否发生偏移，以提高晶圆量测的准确度。图1示意性示出了本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆量测方法，其特征在于，所述方法适用于图案化后的晶圆，包括：/n获取晶圆量测区域图像；/n识别所述晶圆量测区域图像中的特征标记；/n确定所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的实际位置；/n根据所述特征标记的实际位置与所述特征标记的标准位置确定所述特征标记的偏移量；/n根据所述特征标记的偏移量确定所述晶圆量测区域图像中量测点的偏移量。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆量测方法，其特征在于，所述方法适用于图案化后的晶圆，包括：
获取晶圆量测区域图像；
识别所述晶圆量测区域图像中的特征标记；
确定所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的实际位置；
根据所述特征标记的实际位置与所述特征标记的标准位置确定所述特征标记的偏移量；
根据所述特征标记的偏移量确定所述晶圆量测区域图像中量测点的偏移量。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的特征唯一。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述特征标记在所述晶圆量测区域图像对应的版图中的位置确定所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的标准位置。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的所述实际位置与所述标准位置计算得到所述特征标记的偏移量。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的所述实际位置和所述标准位置包括所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的实际位置的中心坐标与所述标准位置的中心坐标。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的所述实际位置与所述标准位置的偏移量为所述特征标记在所述晶圆量测区域图像中的实际位置的中心坐标与所述标准位置的中心坐标的偏移量。


7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在无法识别所述晶圆量测区域图像中的所述特征标记时，提示所述量测点发生偏移。


8.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱贺，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34