晶圆密集缺陷源头检测方法及其检测系统技术方案

技术编号:28628644 阅读:22 留言:0更新日期:2021-05-28 16:25
本发明专利技术提供了一种晶圆密集缺陷源头检测方法及其检测系统,所述晶圆密集缺陷源头检测方法包括以下步骤:扫描晶圆上每个芯片的缺陷数量并形成缺陷分布图;根据每个芯片上缺陷的数量及色块定义表将所述缺陷分布图转化为色块分布图;按照拍照定义表对所述色块分布图进行区分,并对所述芯片中满足预设条件的缺陷图像自动拍照。通过设定好的拍照定义表对所述色块分布图进行区分,并对所述芯片中满足预设条件的缺陷图像进行拍照,从而快速找出密集缺陷的源头,避免二次派工影响产能,提高制品效率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆密集缺陷源头检测方法及其检测系统
本专利技术半导体缺陷检测
,尤其涉及一种晶圆密集缺陷源头检测方法及其检测系统。
技术介绍
在大型集成电路晶圆生产过程中,随着产品的多元化,每个产品都需要有站点去监控缺陷状况,以防止因扫描站点的缺失导致大量晶圆遭受相同缺陷,从而导致产品良率的下降。随着晶圆几何尺寸的降低,缺陷造成的良率损失率不断上升,且对良率有影响的缺陷尺寸越来越小,因此对光学扫描程式和电子束扫描程式的精度要求也越来越高。常用的图形检测缺陷的流程是,先用光学扫描机台将异常点抽取(sampling)出来,常用的光学扫描手段有亮场和暗场扫描,然后再经过电子束扫描机台观察抽取出来的缺陷形貌。对一些聚集状缺陷,光学扫描机台传输的缺陷数目往往比较高,而电子扫描机台观察缺陷是往往只在其中抽取光学扫描结果中固定数目的缺陷。往往抽取不到缺陷产生源头的缺陷(defect),所以复查(review)时存在只找到一些伴随缺陷,没有找到缺陷源头的情况。而对于这种源头性缺陷,则需要通过二次派工,人为寻找缺陷源头。机台产能会有一定影响,对于严重的缺陷问题,这样的重复观察无法满足时效性,会影响更多制品效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆密集缺陷源头检测方法及其检测系统,能够快速找出密集缺陷的源头,避免二次派工影响产能,提高制品效率。为了达到上述目的,本专利技术提供了一种晶圆密集缺陷源头检测方法,包括以下步骤:扫描晶圆上每个芯片的缺陷数量并形成缺陷分布图;根据每个芯片上缺陷的数量及色块定义表将所述缺陷分布图转化为色块分布图;按照拍照定义表对所述色块分布图进行区分,对所述芯片中满足预设条件的缺陷图像进行拍照。可选的,根据每个芯片上缺陷的数量及色块定义表将所述缺陷分布图转化为色块分布图的步骤具体包括:当所述芯片上缺陷的数量大于第一阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为朱红色;当所述芯片上缺陷的数量大于第二阈值且小于所述第一阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为鲜红色;当所述芯片上缺陷的数量大于第三阈值且小于所述第二阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为黄色;当所述芯片上缺陷的数量大于第四阈值且小于所述第三阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为橙色;当所述芯片上缺陷的数量小于所述第四阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为绿色。可选的,所述第一阈值、所述第二阈值、所述第三阈值及所述第四阈值分别为5000个、2000个、1000个和500个。可选的,按照拍照定义表对所述色块分布图进行区分,对所述芯片中满足预设条件的缺陷图像进行拍照的步骤具体包括:在相邻的色块中,至少两个色块均为朱红色时,从所述朱红色色块对应的芯片中从大到小选取第一数量的缺陷进行拍照;在相邻的色块中,至少四个色块均为鲜红色时,从所述鲜红色色块对应的芯片中从大到小选取第二数量的缺陷进行拍照;在相邻的色块中,至少八个色块均为黄色时,从所述黄色色块对应的芯片中从大到小选取第三数量的缺陷进行拍照。可选的,所述第一数量、所述第二数量及所述第三数量分别为30个、20个和10个。基于此,本专利技术还提供了一种晶圆密集缺陷源头检测系统,包括:图像获取模块,用于扫描晶圆上每个芯片的缺陷数量并形成缺陷分布图;色块转化模块,用于根据每个芯片上缺陷的数量及色块定义表将所述缺陷分布图转化为色块分布图;拍照模块,用于按照拍照定义表对所述色块分布图进行区分,对所述芯片中满足预设条件的缺陷图像进行拍照。可选的,所述色块转化模块具体用于:当所述芯片上缺陷的数量大于第一阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为朱红色;当所述芯片上缺陷的数量大于第二阈值且小于所述第一阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为鲜红色;当所述芯片上缺陷的数量大于第三阈值且小于所述第二阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为黄色;当所述芯片上缺陷的数量大于第四阈值且小于所述第三阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为橙色;当所述芯片上缺陷的数量小于所述第四阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为绿色。可选的,所述第一阈值、所述第二阈值、所述第三阈值及所述第四阈值分别为5000个、2000个、1000个和500个。可选的,所述拍照模块具体用于:在相邻的色块中,至少两个色块均为朱红色时,从所述朱红色的色块对应的芯片中从大到小选取第一数量的缺陷进行拍照;在相邻的色块中,至少四个色块均为鲜红色时,从所述鲜红色的色块对应的芯片中从大到小选取第二数量的缺陷进行拍照;在相邻的色块中,至少八个色块均为黄色时,从所述黄色色块对应的芯片中从大到小选取第三数量的缺陷进行拍照。可选的,所述第一数量、所述第二数量及所述第三数量分别为30个、20个和10个。在本专利技术提供的晶圆密集缺陷源头检测方法及其检测系统中,通过扫描晶圆上每个芯片的缺陷数量并形成缺陷分布图,然后根据每个芯片上缺陷的数量及色块定义表将所述缺陷分布图转化为色块分布图,再按照拍照定义表对所述色块分布图进行区分,对所述芯片中满足预设条件的缺陷图像进行拍照。根据设定好的拍照定义表对所述色块分布图进行区分,能够快速找出密集缺陷的源头,避免二次派工影响产能,提高制品效率。附图说明本领域的普通技术人员应当理解,提供的附图用于更好地理解本专利技术,而不对本专利技术的范围构成任何限定。其中:图1为本专利技术实施例提供的晶圆密集缺陷源头检测方法的步骤图;图2为本专利技术实施例提供的晶圆的缺陷分布图。具体实施方式为使本专利技术的目的、优点和特征更加清楚,以下结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制,仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外,附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的,各附图需要展示的侧重点不同,有时会采用不同的比例。还应当理解的是,除非特别说明或者指出,否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等,而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。请参照图1,本实施例提供了一种晶圆密集缺陷源头检测方法,包括以下步骤:S1、扫描晶圆上每个芯片的缺陷数量并形成缺陷分布图;S2、根据每个芯片上缺陷的数量及色块定义表将所述缺陷分布图转化为色块分布图;S3、按照拍照定义表对所述色块分布图进行区分,对所述芯片中满足预设条件的缺陷图像进行拍照。具体的,先执行步骤S1,扫描晶圆上每个芯片的缺陷数量并形成缺陷分布图。应当理解的是,密集缺陷的源头周边通常有很多伴随缺陷,以源头为中心向四周扩张,通过形成缺陷分布图能够有利于找出缺陷较多的芯片,以便于后续进一步进行判定是否为缺陷的源头。如图2所示,图2为本专利技术实施例提供的晶圆的缺陷分布图,其中的数字表示该芯片上缺陷的数量,数字越大,缺陷数量越多。应当理解的是,图2中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆密集缺陷源头检测方法,其特征在于,包括以下步骤:/n扫描晶圆上每个芯片的缺陷数量并形成缺陷分布图;/n根据每个芯片上缺陷的数量及色块定义表将所述缺陷分布图转化为色块分布图;/n按照拍照定义表对所述色块分布图进行区分,对所述芯片中满足预设条件的缺陷图像进行拍照。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆密集缺陷源头检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
扫描晶圆上每个芯片的缺陷数量并形成缺陷分布图;
根据每个芯片上缺陷的数量及色块定义表将所述缺陷分布图转化为色块分布图;
按照拍照定义表对所述色块分布图进行区分,对所述芯片中满足预设条件的缺陷图像进行拍照。


2.如权利要求1所述的晶圆密集缺陷源头检测方法,其特征在于,根据每个芯片上缺陷的数量及色块定义表将所述缺陷分布图转化为色块分布图的步骤具体包括:
当所述芯片上缺陷的数量大于第一阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为朱红色;
当所述芯片上缺陷的数量大于第二阈值且小于所述第一阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为鲜红色;
当所述芯片上缺陷的数量大于第三阈值且小于所述第二阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为黄色;
当所述芯片上缺陷的数量大于第四阈值且小于所述第三阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为橙色;
当所述芯片上缺陷的数量小于所述第四阈值时,使所述芯片对应的色块颜色为绿色。


3.如权利要求2所述的晶圆密集缺陷源头检测方法,其特征在于,所述第一阈值、所述第二阈值、所述第三阈值及所述第四阈值分别为5000个、2000个、1000个和500个。


4.如权利要求2所述的晶圆密集缺陷源头检测方法,其特征在于,按照拍照定义表对所述色块分布图进行区分,对所述芯片中满足预设条件的缺陷图像进行拍照的步骤具体包括:
在相邻的色块中,至少两个色块均为朱红色时,从所述朱红色色块对应的芯片中从大到小选取第一数量的缺陷进行拍照;
在相邻的色块中,至少四个色块均为鲜红色时,从所述鲜红色色块对应的芯片中从大到小选取第二数量的缺陷进行拍照;
在相邻的色块中,至少八个色块均为黄色时,从所述黄色色块对应的芯片中从大到小选取第三数量的缺陷进行拍照。


5.如权利要求4所述的晶圆密集缺陷源头检测方法,其特征在于,所述第一数量、所述第二数量及所述第三数...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁韵蔚
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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