铝腐蚀的处理方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种铝腐蚀的处理方法及系统，所述处理方法包括：S1.判断被处理对象上金属铝所在的目标表面是否发生铝腐蚀，若是，则执行步骤S2；S2.将目标表面浸入酸性腐蚀液中，使酸性腐蚀液与金属铝发生各向同性反应，以去除金属铝上生成的腐蚀物。本发明专利技术通过图像比对和/或荧光分析能够自动、及时且准确地确定硅片上金属铝所在表面是否发生铝腐蚀的情况，即在铝腐蚀初期就可以发现腐蚀现象，进而将发生铝腐蚀的硅片浸入酸性腐蚀液中进行腐蚀处理，快速地去除掉铝和卤族元素的混合物，即通过简单有效的湿法处理，防止金属铝被进一步腐蚀，避免卤族元素和铝的继续发生反应而持续恶化，从而有效地保证了产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
铝腐蚀的处理方法及系统
本专利技术涉及一种半导体工艺处理方法，特别涉及一种铝腐蚀的处理方法及系统。
技术介绍
铝是半导体集成电路中常用的互联引线金属材料，在半导体制程的金属化工艺中铝是最为常用的金属材料。其中，AluminumCorrosion(铝腐蚀)现象，即金属铝和F/CL(氟/氯)等卤族元素发生反应生成含F/CL的腐蚀物是一种常见现象，具体如图1和图2所示，其中，A表示硅片，B表示腐蚀物。一旦硅片上发生铝腐蚀，如若不及时准确处理，F/CL会持续和铝发生反应，使得腐蚀进一步恶化，从而给产品的可靠性带来严重的影响。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中出现铝腐蚀后卤族元素会持续与铝发生反应从而影响产品可靠性的缺陷，本专利技术提供一种铝腐蚀的处理方法及系统。本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：本专利技术提供一种铝腐蚀的处理方法，所述处理方法包括：S1.判断被处理对象上金属铝所在的目标表面是否发生铝腐蚀，若是，则执行步骤S2；S2.将所述目标表面浸入酸性腐蚀液中，使所述酸性腐蚀液与所述金属铝发生各向同性反应，以去除所述金属铝上生成的腐蚀物。较佳地，步骤S2之后还包括：S3.采用去离子水冲洗所述目标表面。较佳地，步骤S1包括：S11.采用扫描设备扫描所述目标表面并获取目标图像；S12.判断所述目标图像与样本图像是否一致，若是，则确定所述目标表面未发生铝腐蚀；否则，确定所述目标表面发生铝腐蚀。r>较佳地，步骤S1包括：S13.采用至少一个设定入射角度的光束照向所述目标表面并获取对应的反射光束的反射角度；S14.判断所述反射角度是否与所述设定入射角度相等，若是，则确定所述目标表面未发生铝腐蚀；否则，确定所述目标表面发生铝腐蚀；或，当采用多个所述设定入射角度的光束照向所述目标表面时，步骤S13之后还包括：S15.获取所述反射角度相同的所述反射光束的第一数量；S16.计算所述第一数量与所述设定入射角度的光束的总数量的比值；S17.判断所述比值是否超过设定阈值，若超过，则确定所述目标表面未发生铝腐蚀；否则，确定所述目标表面发生铝腐蚀。较佳地，所述腐蚀物为含有铝和卤族元素的混合物；步骤S1包括：S18.采用荧光分析设备向所述目标表面发射设定波长的入射光并获取对应的荧光图像；S19.对所述荧光图像进行分析，判断是否存在卤族元素，若存在，则确定所述目标表面发生铝腐蚀；否则，确定所述目标表面未发生铝腐蚀。较佳地，所述酸性腐蚀液的成分包括65％～85％磷酸、5％～15％乙酸、1％～5％硝酸、1％～3％氟硼酸和2％～5％水。较佳地，步骤S2中的化学反应时间为1分钟～2分钟，化学反应速率为/分钟～/分钟；和/或，所述被处理对象包括硅片。本专利技术还提供一种铝腐蚀的处理系统，所述处理系统包括判断模块和处理模块；所述判断模块用于判断被处理对象上金属铝所在的目标表面是否发生铝腐蚀，若是，则调用所述处理模块；所述处理模块用于将所述目标表面浸入酸性腐蚀液中，使所述酸性腐蚀液与所述金属铝发生各向同性反应，以去除所述金属铝上生成的腐蚀物。较佳地，所述处理系统还包括冲洗模块；所述冲洗模块用于采用去离子水冲洗所述目标表面。较佳地，所述判断模块包括目标图像单元和第一判断单元；所述目标图像单元用于采用扫描设备扫描所述目标表面并获取目标图像；所述第一判断单元用于判断所述目标图像与样本图像是否一致，若是，则确定所述目标表面未发生铝腐蚀；否则，确定所述目标表面发生铝腐蚀。较佳地，所述判断模块包括反射角度获取单元和第二判断单元；所述反射角度获取单元用于采用至少一个设定入射角度的光束照向所述目标表面并获取对应的反射光束的反射角度；所述第二判断单元用于判断所述反射角度是否与所述设定入射角度相等，若是，则确定所述目标表面未发生铝腐蚀；否则，确定所述目标表面发生铝腐蚀；或，当采用多个所述设定入射角度的光束照向所述目标表面时，所述判断模块包括数量获取单元、比值计算单元和第三判断单元；所述数量获取单元用于获取所述反射角度相同的所述反射光束的第一数量；所述比值计算单元用于计算所述第一数量与所述设定入射角度的光束的总数量的比值；所述第三判断单元用于判断所述比值是否超过设定阈值，若超过，则确定所述目标表面未发生铝腐蚀；否则，确定所述目标表面发生铝腐蚀。较佳地，所述腐蚀物为含有铝和卤族元素的混合物；所述判断模块包括荧光图像获取单元和第四判断单元；所述荧光图像获取单元用于采用荧光分析设备向所述目标表面发射设定波长的入射光并获取对应的荧光图像；所述第四判断单元用于对所述荧光图像进行分析，判断是否存在卤族元素，若存在，则确定所述目标表面发生铝腐蚀；否则，确定所述目标表面未发生铝腐蚀。较佳地，所述酸性腐蚀液的成分包括65％～85％磷酸、5％～15％乙酸、1％～5％硝酸、1％～3％氟硼酸和2％～5％水。较佳地，所述处理模块中去除所述腐蚀物对应的化学反应时间为1分钟～2分钟，化学反应速率为/分钟～/分钟；和/或，所述被处理对象包括硅片。本专利技术的积极进步效果在于：本专利技术中，通过图像比对和/或荧光分析能够自动、及时且准确地确定硅片上金属铝所在表面是否发生铝腐蚀的情况，即在铝腐蚀初期就可以发现腐蚀现象，进而将发生铝腐蚀的硅片浸入酸性腐蚀液中进行腐蚀处理，快速地去除掉铝和卤族元素的混合物，即通过简单有效的湿法处理，防止金属铝被进一步腐蚀，避免卤族元素和铝的继续发生反应而持续恶化，从而有效地保证了产品的可靠性。附图说明图1为现有的硅片上发生铝腐蚀的第一电镜扫描图像。图2为现有的硅片上发生铝腐蚀的第二电镜扫描图像。图3为本专利技术实施例1的铝腐蚀的处理方法的流程图。图4为本专利技术实施例1的铝腐蚀的处理方法处理后的第一电镜扫描图像。图5为本专利技术实施例1的铝腐蚀的处理方法处理后的第二电镜扫描图像。图6为本专利技术实施例2的铝腐蚀的处理方法的第一流程图。图7为本专利技术实施例2的铝腐蚀的处理方法的第二流程图。图8为本专利技术实施例2的铝腐蚀的处理方法的第三流程图。图9为本专利技术实施例2的铝腐蚀的处理方法的第四流程图。图10为本专利技术实施例2的铝腐蚀的处理方法处理前荧光分析的第一荧光图像。图11为本专利技术实施例2的铝腐蚀的处理方法处理后荧光分析的第二荧光图像。图12为本专利技术实施例3的铝腐蚀的处理系统的模块示意图。图13为本专利技术实施例4的铝腐蚀的处理系统的第一模块示意图。图14为本专利技术实施例4的铝腐蚀的处理系统的第二模块示意图。图15为本专利技术实施例4的铝腐蚀的处理系统的第三模块示意图。图16为本专利技术实施例4的铝腐蚀的处理系统的第四模块示意图。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铝腐蚀的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：/nS1.判断被处理对象上金属铝所在的目标表面是否发生铝腐蚀，若是，则执行步骤S2；/nS2.将所述目标表面浸入酸性腐蚀液中，使所述酸性腐蚀液与所述金属铝发生各向同性反应，以去除所述金属铝上生成的腐蚀物。/n

【技术特征摘要】
1.一种铝腐蚀的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：
S1.判断被处理对象上金属铝所在的目标表面是否发生铝腐蚀，若是，则执行步骤S2；
S2.将所述目标表面浸入酸性腐蚀液中，使所述酸性腐蚀液与所述金属铝发生各向同性反应，以去除所述金属铝上生成的腐蚀物。


2.如权利要求1所述的铝腐蚀的处理方法，其特征在于，步骤S2之后还包括：
S3.采用去离子水冲洗所述目标表面。


3.如权利要求1所述的铝腐蚀的处理方法，其特征在于，步骤S1包括：
S11.采用扫描设备扫描所述目标表面并获取目标图像；
S12.判断所述目标图像与样本图像是否一致，若是，则确定所述目标表面未发生铝腐蚀；否则，确定所述目标表面发生铝腐蚀。


4.如权利要求1所述的铝腐蚀的处理方法，其特征在于，步骤S1包括：
S13.采用至少一个设定入射角度的光束照向所述目标表面并获取对应的反射光束的反射角度；
S14.判断所述反射角度是否与所述设定入射角度相等，若是，则确定所述目标表面未发生铝腐蚀；否则，确定所述目标表面发生铝腐蚀；或，
当采用多个所述设定入射角度的光束照向所述目标表面时，步骤S13之后还包括：
S15.获取所述反射角度相同的所述反射光束的第一数量；
S16.计算所述第一数量与所述设定入射角度的光束的总数量的比值；
S17.判断所述比值是否超过设定阈值，若超过，则确定所述目标表面未发生铝腐蚀；否则，确定所述目标表面发生铝腐蚀。


5.如权利要求1所述的铝腐蚀的处理方法，其特征在于，所述腐蚀物为含有铝和卤族元素的混合物；
步骤S1包括：
S18.采用荧光分析设备向所述目标表面发射设定波长的入射光并获取对应的荧光图像；
S19.对所述荧光图像进行分析，判断是否存在卤族元素，若存在，则确定所述目标表面发生铝腐蚀；否则，确定所述目标表面未发生铝腐蚀。


6.如权利要求1所述的铝腐蚀的处理方法，其特征在于，所述酸性腐蚀液的成分包括65％～85％磷酸、5％～15％乙酸、1％～5％硝酸、1％～3％氟硼酸和2％～5％水。


7.如权利要求1所述的铝腐蚀的处理方法，其特征在于，步骤S2中的化学反应时间为1分钟～2分钟，化学反应速率为和/或，
所述被处理对象包括硅片。


8.一种铝腐蚀的处理系统，其特征在于，所述处理系统包括判断模块和处理模块；
所述判断模块用于判断被处理对象上金属铝所在的目标表面是否发生铝腐蚀，若是，则...

【专利技术属性】
技术研发人员：任萍萍，竺征，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31