进行抗蚀剂工艺校准/优化和DOE优化的方法技术

一种将多个光刻系统使用的工艺最佳化的方法，所述方法包括下述步骤：（ａ）利用第一光刻系统确定为指定工艺和目标图案确定校准的抗蚀剂模型；（（ｂ）选择要用于使用所述指定工艺成像所述目标图案的第二光刻系统，所述第二光刻系统可配置有多个衍射光学元件之一，所述多个衍射光学元件的每一个都具有用于优化指定衍射光学元件的性能的相应的可变参数；（ｃ）选择所述多个衍射光学元件之一，并利用所述选择的所述多个衍射光学元件之一、所述校准的抗蚀剂模型和所述目标图案来模拟所述第二光刻系统的成像性能；以及（ｄ）通过执行遗传算法优化所选择的所述多个衍射光学元件之一的成像性能，所述遗传算法辨别使目标图案的成像最佳的所选择的多个衍射光学元件之一的参数值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的
一般涉及用于执行抗蚀剂工艺校准和最佳化及衍射光学元件(DOE)最佳化的方法和程序产品，以允许在不同光刻系统之间匹配光学邻近效应(OPE)。
技术介绍
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，掩模包含对应于IC的单个层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(硅片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯)。一般的，单个的晶片将包含通过投影系统连续辐射的相邻的目标部分的整个网格。在一类光刻投影装置中，通过一次将整个掩模图案曝光到目标部分上而辐射每一目标部分；这种装置通常称作晶片分步投影光刻机(stepper)。在通常称作步进一扫描装置的另一种装置中，通过沿给定的参考方向(“扫描”方向)在投射光束下逐步地扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描衬底台来辐射每一目标部分。因为一般来说，投影系统有一个放大倍数M(通常＜1)，因此对衬底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。如这里描述的关于光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得，该文献这里作为参考引入。在用光刻投影装置的制造过程中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种优化多个光刻系统使用的工艺的方法，所述方法包括下述步骤：（ａ）利用第一光刻系统为指定工艺和目标图案确定校准的抗蚀剂模型；（ｂ）选择要用于使用所述指定工艺成像所述目标图案的第二光刻系统，所述第二光刻系统可配置有多个衍射光学 元件之一，所述多个衍射光学元件的每一个都具有用于优化指定衍射光学元件的性能的相应的可变参数；（ｃ）选择所述多个衍射光学元件之一，并利用所述选择的所述多个衍射光学元件之一、所述校准的抗蚀剂模型和所述目标图案来模拟所述第二光刻系统的成像 性能；以及（ｄ）通过执行遗传算法优化所选择的所述多个衍射光学元件之一的成像性能，所述遗传算法辨别...

【技术特征摘要】
US 2004-8-26 10/9264001.一种优化多个光刻系统使用的工艺的方法，所述方法包括下述步骤(a)利用第一光刻系统为指定工艺和目标图案确定校准的抗蚀剂模型；(b)选择要用于使用所述指定工艺成像所述目标图案的第二光刻系统，所述第二光刻系统可配置有多个衍射光学元件之一，所述多个衍射光学元件的每一个都具有用于优化指定衍射光学元件的性能的相应的可变参数；(c)选择所述多个衍射光学元件之一，并利用所述选择的所述多个衍射光学元件之一、所述校准的抗蚀剂模型和所述目标图案来模拟所述第二光刻系统的成像性能；以及(d)通过执行遗传算法优化所选择的所述多个衍射光学元件之一的成像性能，所述遗传算法辨别使目标图案的成像最佳的所选择的多个衍射光学元件之一的参数值。2.权利要求1所述的方法，进一步包括下述步骤对于所述多个衍射光学元件的每一个重复步骤(c)和步骤(d)；将与该多个衍射光学元件中每一个相关的参数值存储在存储器中，所述参数值对应于指定衍射光学元件的最佳成像性能；以及比较该多个衍射光学元件中每一个的最佳成像性能，并选择具有最佳成像性能的衍射光学元件作为要在所述第二光刻系统中使用的衍射光学元件。3.权利要求1所述的方法，其中所述第一光刻系统和所述第二光刻系统均包括扫描器。4.一种计算机程序产品，包括可由至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：S卜克，JF陈，A利布亨，
申请(专利权)人：ASML蒙片工具有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]