一种用于实施全芯片制造可靠性检查和校正的方法技术

一种产生用在成像过程图案中的掩模的方法。该方法包括以下步骤：（ａ）获得具有多个要成像在衬底上的特征的需要的目标图案；（ｂ）利用目标图案和与限定过程相关的过程参数来模拟晶片图像；（ｃ）限定至少一个特征类别；（ｄ）在目标图案中识别对应于至少一个特征类别的特征，并且记录识别为对应于至少一个特征类别的每一个特征的误差值；并且（ｅ）产生统计的汇总，其表明识别为对应于至少一个特征类别的每一个特征的误差值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的
通常涉及一种方法、程序产品和设备，其用于在设计过程中较早确定是否目标设计/布局利用给定的过程是可制造的，或是否目标设计/布局包括“故障点”或“弱点”，这些点将阻止目标设计/布局满足设计要求和/或当制造时造成产率不足。
技术介绍
例如，光刻设备可用于制造集成电路(IC)。在这种情况下，掩模可含有对应于IC单层的电路图案，且该图案能够被成像到被涂布一层辐射敏感材料(光刻胶)的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如，包含一个或多个电路小片)上。通常，单晶片将包括邻近目标部分的整个网络，其由投影系统一次一个的连续照射。在一种光刻投影设备中，通过将整个掩模图案一次曝光到目标部分上来照射每一个目标部分；这种设备常称为晶片步进器。在通常称为步进扫描设备的可选择设备中，沿给定的参考方向(“扫描”方向)在投影光束下通过逐渐扫描掩模图案来照射每一个目标部分，同时以平行或反平行该方向同步扫描衬底台。由于通常投影系统将有放大系数M(通常＜1)，所以扫描衬底台的速度V将是扫描掩模台的速度的系数M倍。可以例如从美国6,046,792收集更多关于在此描述的光刻设备的信息，通过引用结合在此。在采用光刻投影设备的制造过程中，掩模图案被成像到至少部分被一层辐射敏感材料(光刻胶)覆盖的衬底上。在该成像步骤前，衬底可以经过各种工序，例如，涂底、涂光刻胶和软烘烤。在曝光后，衬底可以经过其它工序，例如，曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和成像特征的测量/检查。这个工序排列作为构图器件如IC的单层的基础使用。然后，这种构图层可以经过各种过程，如蚀刻、离子注入(掺杂)、喷镀金属、氧化、化学机械抛光等，所有这些是用来完成单层。如果需要几层，那么对于每一新层将必须重复整个工序或其变体。最终，在衬底(晶片)上将出现器件的阵列。然后，通过如切成方块或锯切技术将这些器件彼此分开，由此单独的器件可以被安装到载体上、连接到插针上等。为简单起见，投影系统此后可以称为“透镜”；然而，该术语应广义地被解释为包含各种类型的投影系统，例如包括折射光学元件、反射光学元件和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型任一种操作的部件，用于定向、整形和控制辐射投影光束，并且这样的部件在下面也可以共同地或单独地称为“透镜”。此外，光刻设备可以是具有两个或多个衬底台(和/或两个或多个掩模台)的一种类型。在这样“多级”器件中可以并列采用附加的台，或可以在一个或多个台上实施预备步骤的同时，一个或多个台被用于曝光。例如在美国5,969,441中描述了双级光刻设备，通过引用结合在此。上述提到的光刻掩模包括对应于被集成到硅晶片上的电路部件的几何图案。用于形成这种掩模的图案利用CAD(计算机辅助设计)程序产生，该过程常称为EDA(电子设计自动化)。为了形成功能性掩模，多数CAD程序依据一套预定的设计规则。这些规则通过加工和设计限制来设定。例如，设计规则限定电路器件(如门、电容器等)或互连线之间的间距公差，以便保证电路器件或线彼此不以不需要的方式相互影响。该设计规则限制一般称为“临界尺寸”(CD)。电路的临界尺寸可以被限定为线或孔的最小宽度或两线或两孔间的最小间距。因此，CD确定设计电路的总尺寸和密度。在掩模中的“辅助特征”可用于改进被投影到抗蚀剂上的图像并最终改进显影的器件。辅助特征是不需要出现在抗蚀剂的显影图案中的而是在掩模中提供以利用衍射效应的特征，这样使显影图像更接近需要的电路图案。辅助特征通常是“亚分辨率”或“深亚分辨率(deep sub-resolution)”，意味着它们是在至少一个尺寸内比将在晶片上实际分辨的掩模内的最小特征小。辅助特征可以具有被限定为临界尺寸部分的尺寸。换句话说，因为掩模图案通常用小于1、如1/4、1/5的放大倍数投影，在掩模上的辅助特征可以具有比晶片上的最小特征大的物理尺寸。当然，集成电路制造的一个目的是精确地在晶片上再现原始电路设计(通过掩模)，这通过采用辅助特征来改进。另一个目的是产生在规定的设计公差范围内可容易制造的设计布局。这是重要的，以使当实际制造器件时过程引起高产率。尽管在现有技术中已经讨论了各种规则检查方法，例如光学规则检查(ORC)，这些已知技术对于现在的设计布局是困难的和/或不合适的，其一般包括先进的分辨率增强技术(RET)。此外，已知的规则检查方法不能在设计过程早期确定是否给定的设计是可容易制造的(便于导致高产率)，因此常导致实际上花费与重新设计过程相关的时间和金钱。因此，需要一种方法，其用于允许在设计过程早期确定是否设计是适于制造的，从而使得与重新设计过程相关的时间和花费最小化。此外，需要适合和先进的RET一起使用的制造可靠性检查和校正方法，并且其可以自动提供设计的校正以使得到的器件在规定的设计公差内。
技术实现思路
鉴于前述，本专利技术的一个目的是提供一种方法，其用于在设计过程中较早确定是否目标设计/布局利用给定的过程实际是可制造的，或是否目标设计/布局包含“故障点”或“弱点”，这些点将阻止目标设计/布局满足设计要求和/或当制造时导致产率不足。此外，本专利技术的另一个目的是提供制造可靠性检查和校正方法，其适合和先进的RET一起使用，并且其能自动提供设计的校正以使得到的器件在规定的设计公差范围内。更具体地，本专利技术涉及产生用于成像过程图案的掩模的方法。该方法包括以下步骤(a)获得具有多个要成像在衬底上的特征的需要的目标图案；(b)采用目标图案和与限定的过程相关的过程参数来模拟印刷或晶片图像(即模拟抗蚀剂构图)；(c)限定至少一个特征类别；(d)识别目标图案中对应于至少一个特征类别的特征，并且记录识别为对应于至少一个特征类别的每一个特征的误差值；和(e)产生统计汇总，其表明识别为对应于至少一个特征类别的每个特征的误差值。此外，依据误差的识别，本专利技术的方法还可以包括如下步骤通过改变OPC校正措施和/或通过应用例如储存在数据库中的预定校正措施改变过程参数来自动尝试校正误差。这种数据库可以根据基于规则的系统，包含各种对于潜在问题区域的校正，可以顺序的方式应用这些校正直到发现可接受的解决办法。此外，如果确定了用于给定误差的可接受的校正措施，那么对应于该问题和解决办法的设计规则可被记录在数据库中和用于未来的校正/设计。本专利技术的方法具有超过现有技术的重要优点。非常重要的是，本专利技术提供用于实施全芯片制造可靠性的检查和校正的方法，其在设计过程早期确定是否目标设计实际上在限定的设计公差范围内是可制造的。此外，本专利技术的方法能提供设计的自动校正以产生采用规定的设计公差是可制造的设计。关于本专利技术的另一优点是全芯片制造可靠性检查和校正方法适合和先进的分辨率增强技术一起使用。本专利技术的又一优点是全芯片制造可靠性检查和校正方法适合和利用多层掩模和/或多次曝光(例如，DDL垂直和水平掩模)，以及在相同掩模(例如，包括铬和相位特征的CPL掩模)中的多数据层的过程一起使用。本专利技术的又一优点是在设计过程中及早给设计者提供关于是否目标设计包含任何“故障点”或“弱点”的反馈，这些点将阻止目标设计满足设计要求和/或当经过制造过程时导致产率不足。结果，本专利技术最小化与重新设计过程相关的时间和花费，并且消除与有缺陷的设计原型的出带(tape-out)和显影(developme本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种产生用于成像过程图案的掩模的方法，所述方法包括下面步骤：（ａ）获得具有多个要被成像在衬底上的特征的需要的目标图案；（ｂ）利用所述目标图案和与限定过程相关的过程参数来模拟晶片图像；（ｃ）限定至少一个特征类别；　 　（ｄ）在具有所述多个特征的所述目标图案中识别对应于所述至少一个特征类别的特征，并且记录识别为对应于所述至少一个特征类别的每一个特征的误差值；并且（ｅ）产生统计的汇总，其表明识别为对应于所述至少一个特征类别的每一个特征的所述误差值。

【技术特征摘要】
US 2004-9-14 60/6092431.一种产生用于成像过程图案的掩模的方法，所述方法包括下面步骤(a)获得具有多个要被成像在衬底上的特征的需要的目标图案；(b)利用所述目标图案和与限定过程相关的过程参数来模拟晶片图像；(c)限定至少一个特征类别；(d)在具有所述多个特征的所述目标图案中识别对应于所述至少一个特征类别的特征，并且记录识别为对应于所述至少一个特征类别的每一个特征的误差值；并且(e)产生统计的汇总，其表明识别为对应于所述至少一个特征类别的每一个特征的所述误差值。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述误差值表示在所述目标图案内的特征位置和所述模拟晶片图像内的相同特征的位置间的差别。3.如权利要求2所述的方法，还包括步骤限定多个特征类别；识别所述目标图案内的所述多个特征中每一个对应的所述多个特征类别中的特征类别；记录在所给定特征的各自的特征类别中每个特征的误差值；并且对于各个所述特征类别产生统计汇总，其表明识别为对应于所述给定特征类别的各个特征的所述误差值。4.如权利要求3所述的方法，其中，所述目标设计中的所述多个特征的每一个被划分为所述多个特征类别中的至少之一。5.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤(f)识别对应于所述至少一个特征类别的特征的误差公差；并且(g)确定是否识别为对应于所述至少一个特征类别的任何特征具有超过所述误差公差的误差值。6.如权利要求5所述的方法，还包括对识别为具有超过所述误差公差的误差值的任何特征进行校正措施的步骤，所述校正措施有效地将所对应特征的误差值降低到所述误差公差以下。7.一种用于控制计算机的计算机程序产品，包括所述计算机可读的记录介质；在所述记录介质上记录的、用于引导计算机产生对应于用于光刻成像过程的掩模的文件的装置，所述文件的产生包括以下步骤(a)获得具有多个要被成像在衬底上的特征的需要的目标图案；(b)利用所述目标图案和与限定过程相关的过程参数来模拟晶片图像；(c)限定至少一个特征类别；(d)在具有所述多个特征的所述目标...

【专利技术属性】
技术研发人员：M苏，T莱迪，KE瓦姆普莱尔，DFS苏，X施，D范登布勒克，JF陈，
申请(专利权)人：ASML蒙片工具有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]