用于制造半导体器件的方法技术

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成沉积型界面层；将所述沉积型界面层转化成氧化型界面层；在所述氧化型界面层上形成高k层；在所述高k层与所述氧化型界面层之间的界面上形成偶极界面；在所述高k层上形成导电层；以及使所述导电层、所述高k层、所述偶极界面和所述氧化型界面层进行图案化，以在所述衬底上形成栅极叠层。

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的方法相关申请的交叉引用本申请要求2019年10月31日提交的第10-2019-0138050号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请通过引用整体并入本文。
本专利技术的各种实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法，更特别地，涉及一种用于制造提供有高k电介质材料和金属电极的半导体器件的方法。
技术介绍
随着半导体器件的集成度增加，通过晶体管的栅极电介质层的泄漏电流的量增加。为了应对泄漏电流量的增加，可以由高k电介质材料来形成栅极电介质层。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及一种用于制造能够改善栅极电介质层可靠性的半导体器件的方法。根据本专利技术的一个实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成沉积型界面层；将沉积型界面层转化成氧化型界面层；在氧化型界面层上形成高k层；在高k层和氧化型界面层之间的界面上形成偶极界面；在高k层上形成导电层；以及将导电层、高k层、偶极界面和氧化型界面层进行图案化以在衬底上形成栅极叠层。根据本专利技术的另一实施例，一种用于制造半导体器件的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：/n在衬底上形成沉积型界面层；/n将所述沉积型界面层转化成氧化型界面层；/n在所述氧化型界面层上形成高k层；/n在所述高k层与所述氧化型界面层之间的界面上形成偶极界面；/n在所述高k层上形成导电层；以及/n将所述导电层、所述高k层、所述偶极界面和所述氧化型界面层图案化，以在所述衬底上形成栅极叠层。/n

【技术特征摘要】
20191031 KR 10-2019-01380501.一种制造半导体器件的方法，包括：
在衬底上形成沉积型界面层；
将所述沉积型界面层转化成氧化型界面层；
在所述氧化型界面层上形成高k层；
在所述高k层与所述氧化型界面层之间的界面上形成偶极界面；
在所述高k层上形成导电层；以及
将所述导电层、所述高k层、所述偶极界面和所述氧化型界面层图案化，以在所述衬底上形成栅极叠层。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过原子层沉积(ALD)工艺或化学气相沉积(CVD)工艺来执行在所述衬底上形成所述沉积型界面层。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积型界面层包括沉积型氧化硅。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述沉积型界面层转化为所述氧化型界面层包括：
使所述沉积型界面层暴露于自由基氧化工艺。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化型界面层包括氧化型氧化硅。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述偶极界面包括诱导偶极物质。


7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述诱导偶极物质包括镧。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述高k层与所述氧化型界面层之间的界面上形成所述偶极界面包括：
在所述高k层上形成含有诱导偶极物质的牺牲层；
使所述牺牲层暴露于后热处理，以使所述诱导偶极物质扩散进入位于所述氧化型界面层与所述高k层之间的界面中；以及
去除所述牺牲层。


9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述牺牲层包括氧化镧。


10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极叠层包括NMOSFET的栅极叠层。


11.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
制备包括第一区和第二区的衬底；
在所述第二区的衬底上形成沟道层；
在所述沟道层和所述第一区的衬底上形成沉积型界面层；
将所述沉积型界面层转化成氧化型界面层；
在所述氧化型界面层上形成高k层；
在所述第一区中的所述高k层与所述氧化型界面层之间的界面上形成偶极界面；
在所述高k层上形成导电层；
将所述导电层、所述高k层、所述偶极界面和所述氧化型界面层图案化，以在所述第一区的衬底上形成第一栅极叠层；以及
将所述导电层、所述高k层和所述氧化型界面层图案化，以在所述第二区的衬底上形成第二栅极叠层。


12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述沉积型界面层包括沉积型氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：池连赫，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR