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一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成沉积型界面层；将所述沉积型界面层转化成氧化型界面层；在所述氧化型界面层上形成高k层；在所述高k层与所述氧化型界面层之间的界面上形成偶极界面；在所述高k层上形成导电层；以及使所述导电层、所述高k层、...
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