半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置的制造方法，包括：提供半导体基板；从半导体基板的顶表面外延成长阻挡层，其中阻挡层具有与半导体基板不同的晶格常数；于阻挡层之上外延成长半导体层；图案化半导体层以形成半导体鳍片，其中阻挡层位于半导体鳍片之下；形成接触半导体鳍片的源极/漏极部件；以及形成齿合半导体鳍片的栅极结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本专利技术实施例涉及一种半导体装置及其制造方法，特别涉及一种场效晶体管及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路产业历经指数性的成长。集成电路材料与设计的科技进展产生了各个世代的集成电路，其中各世代相较于先前世代具有较小且较为复杂的电路。集成电路演进期间，功能密度(亦即，单位芯片面积的内连线装置数目)通常会增加而几何尺寸(亦即，可利用工艺生产的最小元件(或线))却减少。此微缩化的过程通常会提高生产效率以及降低相关成本而提供助益。这样的微缩化也会增加处理与制造集成电路的复杂度。近来，在多栅极(multi-gate)装置中投入了许多努力，通过增加栅极通道耦合(gate-channelcoupling)、减少关闭状态(off-state)电流以及减少短通道效应(short-channeleffects,SCEs)来改善栅极控制。其中所采用的一种多栅极装置为全绕式栅极(gate-all-around,GAA)晶体管。全绕式栅极装置由于栅极结构而得其名，其栅极结构可于通道区周围延伸而在两侧或四侧提供途径至通道。全绕式栅极装置与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n提供一半导体基板；/n从该半导体基板的一顶表面外延成长一阻挡层，其中该阻挡层具有与该半导体基板不同的晶格常数；/n于该阻挡层之上外延成长一半导体层；/n图案化该半导体层，以形成一半导体鳍片，其中该阻挡层位于该半导体鳍片之下；/n形成与该半导体鳍片接触的一源极/漏极部件；以及/n形成齿合该半导体鳍片的一栅极结构。/n

【技术特征摘要】
20190917 US 16/573,6561.一种半导体装置的制造方法，包括：
提供一半导体基板；
从该半导体基板的一顶表面外延成长一阻挡层，其中该阻挡层具有与该半导体基板不...

【专利技术属性】
技术研发人员：江欣哲，高伟智，梁春昇，潘国华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71