半导体装置与其形成方法制造方法及图纸

本公开涉及一种半导体装置与其形成方法，此处公开改善的功函数层与其形成方法。在一实施例中，方法包括形成自基板延伸的半导体鳍状物；沉积介电层于半导体鳍状物上；沉积第一功函数层于介电层上；以及暴露第一功函数层至第一反应气体的介稳态等离子体、生成气体的介稳态等离子体、与第二反应气体的介稳态等离子体，其中第一反应气体与第二反应气体不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置与其形成方法
本专利技术实施例关于半导体装置，更特别关于改良功函数层的方法。
技术介绍
半导体装置用于多种电子应用中，比如个人电脑、手机、数码相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法一般为依序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，并采用微影图案化多种材料的层状物以形成电子构件与单元于半导体基板上。半导体产业持续缩小最小结构尺寸，以持续改善多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物)的集成密度，以让更多构件整合至给定面积中。然而随着最小结构尺寸缩小，亦产生需解决的额外问题。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供半导体装置的形成方法，包括形成自基板延伸的半导体鳍状物；沉积介电层于半导体鳍状物上；沉积第一功函数层于介电层上；以及暴露第一功函数层至第一反应气体的介稳态等离子体、生成气体的介稳态等离子体、与第二反应气体的介稳态等离子体，其中第一反应气体与第二反应气体不同。本专利技术另一实施例提供半导体装置的形成方法，包括自第一前驱物气体产生第一等离子体，且第一前驱物气体包括氦气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n形成自一基板延伸的一半导体鳍状物；/n沉积一介电层于该半导体鳍状物上；/n沉积一第一功函数层于该介电层上；以及/n暴露该第一功函数层至一第一反应气体的介稳态等离子体、一生成气体的介稳态等离子体、与一第二反应气体的介稳态等离子体，其中该第一反应气体与该第二反应气体不同。/n

【技术特征摘要】
20190912 US 16/568,5181.一种半导体装置的形成方法，包括：
形成自一基板延伸的一半导体鳍状物；
沉积一介电层于该半导体鳍状物上；
沉积一第一功函数层于该介电层上；以及
暴露该第一功函数层至一第一反应气体的介稳态等离子体、一生成气体的介稳态等离子体、与一第二反应气体的介稳态等离子体，其中该第一反应气体与该第二反应气体不同。


2.如权利要求1的半导体装置的形成方法，还包括在暴露该第一功函数层至介稳态等离子体之后，沉积一底抗反射涂层以物理接触该第一功函数层。


3.如权利要求2的半导体装置的形成方法，还包括：
沉积一光刻胶层于该底抗反射涂层上；
图案化该光刻胶层以形成一图案化光刻胶层；
采用该图案化光刻胶层作为遮罩，并蚀刻该底抗反射涂层以露出该第一功函数层；
采用该底抗反射涂层作为遮罩，蚀刻该第一功函数层以露出该介电层；
移除该底抗反射涂层与该图案化光刻胶层；以及
形成一第二功函数层于该介电层与该第一功函数层上。


4.如权利要求3的半导体装置的形成方法，其中该第二功函数层包括硅、碳、或铝。


5.如权利要求1的半导体装置的形成方法，其中沉积该第一功函数层的步骤包括包括沉积碳氮化钨材料。


6.如权利要求1的半导体装置的形成方法，其中该第一反应气体包括氮气，其中该生成气体包括氦气，且其中该第二反应气体包括氢气。...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴少均，吴宏基，李家庆，叶品萱，锺鸿钦，李显铭，陈建豪，潘昇良，林焕哲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71