动态随机存取存储器及其制备方法技术

一种动态随机存取存储器的制备方法，其包括：提供一导电层以及形成在导电层中的多个间隔设置的接触插塞，导电层包括接触面，每一个接触插塞部分凸伸出接触面外，每个接触插塞包括凸设在接触面上的顶面和侧面；在导电层和接触插塞上形成阻挡层；在阻挡层远离所述导电层一侧形成介电层；对所述介电层和所述阻挡层进行蚀刻形成多个凹槽直至露出所述导电层，每一个凹槽位于相邻的两个接触插塞之间；以及在每个凹槽的孔壁上形成电极层以与导电层连接。本发明专利技术还提供上述方法制备得到的存储器。上述方式可保证后续凹槽中的各个电极层的稳固性及与导电层的足够的接触连接面积。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器及其制备方法
本专利技术涉及动态随机存取存储器及其制备方法，尤其是一应用于动态随机存取存储器的电容器及其制备方法。
技术介绍
动态随机存取存储器的每一个记忆单元包括一个选择晶体管和与所述选择晶体管串联的一个电容器。为达成大容量化，记忆单元中的电容器必须更加小型化，如此，导致电容器的电极面积不足，其电容容量无法提高。为提高记忆单元的电容容量，需在有限的空间中提高电容器的电极面积。现有的一种增加电容器的电极面积的办法为：在一导电层上方设置绝缘层，绝缘层中开设贯穿其的沟槽，再将电极形成在沟槽的槽壁上以增加电极的面积，然而，由于沟槽狭小且深度较大，形成过程中容易发生一定的偏移，导致后续电极无法与导电层正对连接，进而影响产品的性能。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种动态随机存取存储器的制备方法，其能够有效解决上述问题。一种动态随机存取存储器的制备方法，其包括如下步骤：提供一导电层以及形成在所述导电层中的多个间隔设置的接触插塞，所述导电层包括一接触面，每一个接触插塞部分凸伸出所述接触面外，每一个接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态随机存取存储器的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：/n提供一导电层以及形成在所述导电层中的多个间隔设置的接触插塞，所述导电层包括一接触面，每一个接触插塞部分凸伸出所述接触面外，每一个接触插塞包括凸设在所述接触面上的顶面和侧面，所述侧面与所述接触面连接，所述顶面远离所述导电层且与所述侧面连接；/n在所述导电层和所述接触插塞上形成阻挡层，该阻挡层覆盖所述接触面以及每一个接触插塞的顶面和侧面；/n在所述阻挡层远离所述导电层一侧形成介电层；/n对所述介电层和所述阻挡层进行蚀刻形成多个凹槽直至露出所述导电层，每一个凹槽位于相邻的两个接触插塞之间；以及/n在每一个凹槽的孔壁上形成电极层以与...

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：
提供一导电层以及形成在所述导电层中的多个间隔设置的接触插塞，所述导电层包括一接触面，每一个接触插塞部分凸伸出所述接触面外，每一个接触插塞包括凸设在所述接触面上的顶面和侧面，所述侧面与所述接触面连接，所述顶面远离所述导电层且与所述侧面连接；
在所述导电层和所述接触插塞上形成阻挡层，该阻挡层覆盖所述接触面以及每一个接触插塞的顶面和侧面；
在所述阻挡层远离所述导电层一侧形成介电层；
对所述介电层和所述阻挡层进行蚀刻形成多个凹槽直至露出所述导电层，每一个凹槽位于相邻的两个接触插塞之间；以及
在每一个凹槽的孔壁上形成电极层以与所述导电层连接。


2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：由所述导电层指向远离所述导电层的方向，每一个凹槽的开口尺寸逐渐变大。


3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：当每一个凹槽正对设置在与其相邻的两个接触插塞之间的位置，所述方法还包括在形成电极层前，蚀刻去除阻挡层覆盖超出所述顶面的部分以形成与所述凹槽连通的卡槽。


4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于：形成所述电极层的步骤中，所述电极层进入并填满所述卡槽。


5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：当每一个凹槽并非正对设置在与其相邻的两个接触插塞之间的位置，所述方法还包括在形成电极层前，蚀刻去除所述阻挡层位于所述介电层与其对应的接触插塞的顶面的部分以形成与所述凹槽连通的第一卡槽，以及蚀刻去除覆盖所述接...

【专利技术属性】
技术研发人员：南昌铉，吕寅准，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37