存储器、单元接触结构及其制造方法技术

本公开是关于一种单元接触结构的制造方法、单元接触结构以及存储器。该单元接触结构的制造方法包括：在衬底上形成介质层，在所述介质层中形成阵列状的单元孔洞，所述孔洞底部暴露所述衬底；在所述孔洞内的所述衬底的表面上形成半导体层，所述半导体层远离所述衬底的一面为第一曲面；在所述半导体层的所述第一曲面上形成导电层。本公开提供的单元接触结构的制造方法，能够降低单元接触结构中接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
存储器、单元接触结构及其制造方法
本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种单元接触结构的制造方法、单元接触结构以及存储器。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM，DynamicRandomAccessMemory)，因其存取速度快、存储密度高等优点，广泛应用于现代电子系统中，其基本存储单元通常包括一电容器与一晶体管。通常情况下，动态随机存取存储器中的每个晶体管包括一栅极、一位在衬底中的漏极，以及一与漏极分隔开的源极。栅极通常与一字线电性连接，漏极通常与一位线电性连接，源极通常通过一单元接触结构(CellContact)与一电容器电性连接。随着半导体器件的高度集成化，动态随机存取存储器的尺寸越来越小，单元接触的尺寸也随着缩小，因此产生了动态随机存取存储器的接触电阻变大的问题。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种能够降低单元接触结构中接触电阻的制造方法。根本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单元接触结构的制造方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成介质层，在所述介质层中形成阵列状的单元孔洞，所述孔洞底部暴露所述衬底；/n在所述孔洞内的所述衬底的表面上形成半导体层，所述半导体层远离所述衬底的一面为第一曲面；/n在所述半导体层的所述第一曲面上形成导电层。/n

【技术特征摘要】
1.一种单元接触结构的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成介质层，在所述介质层中形成阵列状的单元孔洞，所述孔洞底部暴露所述衬底；
在所述孔洞内的所述衬底的表面上形成半导体层，所述半导体层远离所述衬底的一面为第一曲面；
在所述半导体层的所述第一曲面上形成导电层。


2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电层包括：
第一导电层，形成于所述半导体层的所述第一曲面上；
第二导电层，形成于所述第一导电层远离所述衬底的表面上。


3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一导电层远离所述衬底一面为第二曲面，所述第二曲面与所述第一曲面形状匹配；
所述第二导电层远离所述衬底一面为第三曲面，所述第三曲面与所述第二曲面形状匹配。


4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述半导体层的材料包括多晶硅，所述第一导电层的材料包括CoSi2，所述第二导电层的材料包括Ti和TiN中至少一种。


5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一曲面为朝向所述衬底凹陷的V形曲面。


6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述形成半导体层包括：
在所述孔洞内沉积半导体材料，所述半导体材料至少覆盖所述孔洞侧壁和底部，所述孔洞侧壁上的所述半导体材料之间具有间隙；
对所述半导体材料进行回刻，以形成具有所述第一曲面的所述半导体层。


7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述导电层远离所述衬底的表面上形成钨层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34