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本公开是关于一种单元接触结构的制造方法、单元接触结构以及存储器。该单元接触结构的制造方法包括：在衬底上形成介质层，在所述介质层中形成阵列状的单元孔洞，所述孔洞底部暴露所述衬底；在所述孔洞内的所述衬底的表面上形成半导体层，所述半导体层远离所述...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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