半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，衬底包括若干器件区单元；在衬底上形成若干分立排布的鳍部；去除器件区单元两侧的鳍部的部分厚度。本发明专利技术通过刻蚀去除器件区单元两侧的鳍部的部分厚度，使得器件区单元两侧的鳍部具有较小的高度，这样后续形成伪栅结构的时候，一方面便于相邻器件区单元之间的伪栅结构的切割，另外一方面去除伪栅结构形成金属栅极结构时，不仅不易造成伪栅结构的残留，而且便于在相邻器件区单元两侧的鳍部上形成质量好的功函数层，从而提高形成的半导体器件的质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可以分为三大类型：逻辑、存储器和模拟电路，其中存储器在集成电路产品中占了相当大的比例。随着半导体技术的发展，对存储器进行更为广泛的应用，需要将存储器与其他器件同时形成在一个芯片上，以形成嵌入式半导体存储装置。例如将存储器内嵌置于中央处理器平坦进行兼容，并且保持原有的存储器的规格及对应的电学性能。一般地，需要将存储器与嵌入的标准逻辑装置进行兼容。对于嵌入式半导体器件来说，其通常分为逻辑区和存储器，逻辑区通常包括逻辑器件，存储区则包括存储器件。随着存储技术的发展，出现了各种类型的半导体存储器，例如静态随机存储器(SRAM，StaticRandomAccessMemory)、动态随机存储器(DRAM，DynamicRandomAccessMemory)、可擦除可编程只读存储器(EOROM，ErasableProgrammableRead-OnlyMemory)、和闪存(Flash)。由于静态随机存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底包括若干器件区单元；/n在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部；/n去除所述器件区单元两侧的所述鳍部的部分厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括若干器件区单元；
在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部；
去除所述器件区单元两侧的所述鳍部的部分厚度。


2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述鳍部的部分厚度采用的工艺为干法刻蚀法或湿法刻蚀法。


3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述鳍部去除的厚度与所述鳍部未去除的厚度的百分比为20％～80％。


4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述鳍部的步骤包括：在所述衬底上形成第二芯层，在所述第二芯层上形成分立排布第一芯层；
在所述第一芯层的侧壁上形成第一牺牲侧墙；
以所述第一牺牲侧墙和所述第一芯层为掩膜，刻蚀所述第二芯层，至暴露出所述衬底的表面；
去除所述第一芯层，以所述第一牺牲侧墙为掩膜，刻蚀所述第二芯层，直至暴露出所述衬底的表面；
在刻蚀后的所述第二芯层的侧壁形成第二牺牲侧墙；
去除刻蚀后的所述第二芯层；
所述第二牺牲侧墙为掩膜，刻蚀部分厚度的衬底，形成所述鳍部。


5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述第二芯层之前，还包括：在所述衬底上形成硬掩膜层。


6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层为单层结构或叠层结构。


7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层为叠层结构时，所述硬掩膜层包括第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，所述第一硬掩膜层材料与所述第二硬掩膜层的材料不同。


8.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述第二芯层上形成分立排布第一芯层之前，还包括：在所述第二芯层上形成保护层。


9.如权利要求4所述的形成方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31