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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，衬底包括若干器件区单元；在衬底上形成若干分立排布的鳍部；去除器件区单元两侧的鳍部的部分厚度。本发明通过刻蚀去除器件区单元两侧的鳍部的部分厚度，使得器件区单元两侧的鳍部具有较小的...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。