半导体结构的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供一衬底，并在所述衬底上制备一多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层和所述衬底以形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内形成绝缘层，且所述绝缘层的上表面低于所述多晶硅层的上表面；刻蚀所述多晶硅层以形成栅极。本发明专利技术提供的半导体结构的制备方法通过改进半导体制造的工艺流程来减少栅结构工艺对隔离沟槽造成的损伤，从而改善漏电现象。同时降低了隔离沟槽和栅结构的制备工艺中主要由光刻和刻蚀导致的器件与器件之间的差异，从而改善半导体器件的失配现象，提升半导体器件的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法
本专利技术涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种半导体结构的制备方法。
技术介绍
静态随机存储器(SRAM)是一种重要的存储器，具有速度快、功耗低、可靠性高等优点，广泛应用于个人通信、消费电子产品(智能卡、数码相机、多媒体播放器)等领域。在半导体器件的设计和生产过程中，由于不确定、随机误差、梯度误差等原因，设计时完全相同的半导体器件在生产后却存在误差，称为半导体器件的失配过程(mismatchprocess)。失配过程不仅会成为通用模拟信号处理过程中的限制，而且对数字电路中器件的匹配也会产生十分重要的影响。例如，当静态随机存储器的工艺尺寸降低到100nm以后，工艺参数的随机变化引起的MOS管阈值电压波动对静态随机存储器的稳定性、可靠性的影响越来越严重，成为限制静态随机存储器良率提高的重要因素之一。现有技术中，静态随机存储器的制备通常包括形成有源区(AA)、形成栅极(Gate)、多晶硅淀积(polydep)以及多晶硅刻蚀(polyetch)等过程。然而，上述过程会对隔离沟槽的尖角部分(STIcorn本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，并在所述衬底上制备一多晶硅层；/n刻蚀所述多晶硅层和所述衬底以形成隔离沟槽；/n在所述隔离沟槽内形成绝缘层，且所述绝缘层的上表面低于所述多晶硅层的上表面；/n刻蚀所述多晶硅层以形成栅极。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，并在所述衬底上制备一多晶硅层；
刻蚀所述多晶硅层和所述衬底以形成隔离沟槽；
在所述隔离沟槽内形成绝缘层，且所述绝缘层的上表面低于所述多晶硅层的上表面；
刻蚀所述多晶硅层以形成栅极。


2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层和所述衬底之间还形成有氧化层。


3.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的上表面高于所述氧化层的上表面。


4.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，刻蚀所述多晶硅层和所述衬底以形成隔离沟槽的过程包括：
在所述多晶硅层上形成图案化的第一光刻胶层；
以所述图案化的第一光刻胶层为掩膜层，刻蚀所述多晶硅层和所述衬底，以形成隔离沟槽；以及
去除所述图案化的第一光刻胶层。


5.如权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述隔离沟槽内形成绝缘层的过程包括：
在所述隔离沟槽内填充绝缘材料层，所述绝缘材料层延伸覆盖所述隔离沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋沉沉，钱俊，孙昌，魏峥颖，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31