静态存储单元的形成方法及静态存储单元技术

本发明专利技术提供了一种静态存储单元的形成方法及静态存储单元，首先单独对所述鳍部中的源极区域执行第一离子注入工艺，然后再对所述源极区域及漏极区域执行第二离子注入工艺，以形成源极和漏极，使所述源极的掺杂浓度较所述漏极的掺杂浓度大，后续对静态存储单元进行读写操作时，所述源极到所述漏极的电流与所述漏极到所述源极的电流是不相等的，即读取电流与写入电流不相等，进而降低了读/写裕量，提高了器件的可靠性和性能。

Forming method and static storage unit of static storage unit

【技术实现步骤摘要】
静态存储单元的形成方法及静态存储单元
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种静态存储单元的形成方法及静态存储单元。
技术介绍
静态存储器中的鳍式场效应晶体管(FinFieldeffecttransistor，FinFET)是一种新型的金属氧化半导体场效应晶体管，相较于常规的静态存储器来说，鳍式场效晶体管的体积更小，性能更好，但是现有的鳍式场效晶体管的可靠性和性能都有待提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种静态存储单元的形成方法及静态存储单元，以提高现有的鳍式场效晶体管的可靠性和性能。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种静态存储单元的形成方法，所述静态存储单元的形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底及形成于所述衬底上的鳍部，所述鳍部包括源极区域和漏极区域；在所述基底上依次形成覆盖所述衬底及所述鳍部的多晶硅材料层及覆盖所述多晶硅材料层的第一介质层；在所述第一介质层中形成对应所述源极区域的第一开口，所述第一开口暴露出部分所述多晶硅材料层；在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述静态存储单元的形成方法包括：/n提供基底，所述基底包括衬底及形成于所述衬底上的鳍部，所述鳍部包括源极区域和漏极区域；/n在所述基底上依次形成覆盖所述衬底及所述鳍部的多晶硅材料层及覆盖所述多晶硅材料层的第一介质层；/n在所述第一介质层中形成对应所述源极区域的第一开口，所述第一开口暴露出部分所述多晶硅材料层；/n在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙以形成对准所述源极区域的第二开口，并执行第一离子注入工艺以对所述源极区域进行离子注入；/n去除剩余的所述第一介质层、剩余的所述第一介质层下方的所述多晶硅材料层及所述第二开口下方的所述多晶硅材料层，形成对准所述源...

【技术特征摘要】
1.一种静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述静态存储单元的形成方法包括：
提供基底，所述基底包括衬底及形成于所述衬底上的鳍部，所述鳍部包括源极区域和漏极区域；
在所述基底上依次形成覆盖所述衬底及所述鳍部的多晶硅材料层及覆盖所述多晶硅材料层的第一介质层；
在所述第一介质层中形成对应所述源极区域的第一开口，所述第一开口暴露出部分所述多晶硅材料层；
在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙以形成对准所述源极区域的第二开口，并执行第一离子注入工艺以对所述源极区域进行离子注入；
去除剩余的所述第一介质层、剩余的所述第一介质层下方的所述多晶硅材料层及所述第二开口下方的所述多晶硅材料层，形成对准所述源极区域的第三开口及对准所述漏极区域第四开口；
执行第二离子注入工艺以对所述源极区域及所述漏极区域进行离子注入以形成源极和漏极。


2.如权利要求1所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述源极的离子注入的浓度较所述漏极的离子注入浓度高。


3.如权利要求2所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述源极区域注入的离子包括砷离子和/或磷离子，所述漏极区域注入的离子包括硼离子和/或氟化硼离子。


4.如权利要求1所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，执行所述第一离子注入工艺中，对所述源极区域进行离子注入的能量大于等于105ev；执行所述第二离子注入工艺中，对所述源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31