【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示装置
本申请涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
发光二极管微型化发展成未来显示技术的热点之一,和目前的液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)以及有机发光二极管(OrganicLightEmitting,OLED)显示器件相比,具有反应快、高色域、高分辨率(PixelsPerInch,PPI)以及低能耗等优势。然而,发光二极管微型化技术难点多且技术复杂,特别是其关键技术巨量转移技术、有机发光二极管(LightEmittingDiode,LED)颗粒微型化成为技术瓶颈,而亚毫米发光二极管(Mini-LED)背板作为微型发光二极管与背板结合的产物,其具有高对比度、高显色性能等可与有机发光二极管显示器件相媲美的特点,其成本稍高于液晶显示器且仅为有机发光二极管显示器件的六成左右,相对微型发光二极管(Micro-LED)、有机发光二极管显示器件更易实施,所以亚毫米发光二极管成为各大面板厂商布局热点。如图1所示,其为传统亚毫米发光二极管背光模组 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括如下步骤:/n于阵列基板上形成钝化层,所述阵列基板包括薄膜晶体管以及导电垫,所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管以及所述导电垫;/n于所述钝化层上形成整面的碳膜;/n采用一次构图工艺去除所述导电垫对应的所述钝化层以及所述碳膜,得到所述阵列基板。/n
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括如下步骤:
于阵列基板上形成钝化层,所述阵列基板包括薄膜晶体管以及导电垫,所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管以及所述导电垫;
于所述钝化层上形成整面的碳膜;
采用一次构图工艺去除所述导电垫对应的所述钝化层以及所述碳膜,得到所述阵列基板。
2.根据权利要求1所述阵列基板的制造方法,其特征在于,所述采用一次构图工艺去除所述导电垫对应的所述钝化层以及所述碳膜包括如下步骤:
于所述碳膜远离所述钝化层的表面形成光阻层;
利用光罩对所述光阻层进行曝光以及显影液显影后,得到图案化光阻层;
利用等离子体与所述图案化光阻层未覆盖的所述碳膜进行反应,以去除所述导电垫对应的碳膜。
3.根据权利要求2所述阵列基板的制造方法,其特征在于,所述等离子体由氧气或氢气制备得到。
4.根据权利要求2所述阵列基板的制造方法,其特征在于,所述去除所述导电垫对应的所述碳膜后,所述方法还包括:
利用...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡小波,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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