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本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供一衬底，并在所述衬底上制备一多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层和所述衬底以形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内形成绝缘层，且所述绝缘层的上表面低于所述多晶硅层的上表面；刻蚀所述多晶硅层以形成栅极。本发明提供...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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