形成半导体结构的方法技术

本申请涉及形成半导体结构的方法。描述了与使用混合氧化形成半导体相关的方法、设备和系统。一种实例方法包含在半导体衬底中形成用以创建隔离区的开口。实例方法进一步包含以第一氧化速率将第一电介质沉积到所述隔离区中。实例方法进一步包含以第二氧化速率将第二电介质沉积到所述隔离区中。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体结构的方法
本专利技术大体上涉及半导体装置以及方法，并且更具体地涉及使用混合氧化形成半导体。
技术介绍
存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，其包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)和快闪存储器等。一些类型的存储器装置可以是非易失性存储器(例如ReRAM)，并且可以用于需要高存储器密度、高可靠性和低功耗的广泛范围的电子应用。与在没有电源的情况下保持其存储状态的非易失性存储器单元(例如快闪存储器单元)相反，易失性存储器单元(例如DRAM单元)需要电源来保持其存储的数据状态(例如经由刷新过程)。然而，各种易失性存储器单元，例如DRAM单元可以比各种非易失性存储器单元，例如快闪存储器单元更快地操作(例如编程、读取、擦除等)。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种形成半导体结构的方法，其包括：/n在半导体衬底(219)中形成用以创建隔离区(227)的开口；/n以第一氧化速率执行第一电介质沉积；以及/n以第二氧化速率执行第二电介质沉积。/n

【技术特征摘要】
20190515 US 16/413,1081.一种形成半导体结构的方法，其包括：
在半导体衬底(219)中形成用以创建隔离区(227)的开口；
以第一氧化速率执行第一电介质沉积；以及
以第二氧化速率执行第二电介质沉积。


2.根据权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其进一步包括以对应于具有18-33％氢的氢对氧混合物的氧化速率执行所述第一电介质沉积。


3.根据权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其进一步包括以对应于具有70-80％氢的氢对氧混合物的氧化速率执行所述第二电介质沉积。


4.根据权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其进一步包括形成高度范围在2,000和3,000埃之间的开口。


5.根据权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中执行所述第一电介质沉积包括沉积氧化硅SiO材料。


6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二电介质沉积之前执行所述第一电介质沉积在0.5nm至2nm的范围内防止对电容器沟槽的有源区(320)的侵蚀。


7.一种形成半导体结构的方法，其包括：
在半导体衬底(219)中形成用以创建隔离区(227)的开口；
以第一氧化速率图案化第一原子层沉积ALD；以及
以第二氧化速率图案化第二ALD。


8.根据权利要求7所述的形成半导体结构的方法，其进一步包括将所述第一ALD和所述第二ALD作为组合ALD循环来执行。


9.根据权利要求7所述的形成半导体结构的方法，其进一步包括基于电容器沟槽(108、208、308、408、508)的直径确定所述ALD的循环次数。


10.根据权利要求9所述的形成半导体结构的方法，其进一步包括在所述ALD循环的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·幕克吉，胡申，A·A·卡恩德卡尔，S·H·昌，解志强，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US