半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基底、栅极、及含磷的介电层。栅极在基底上。含磷的介电层在栅极上。含磷的介电层具有变化的磷掺杂质密度分布轮廓。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及一种半导体结构及其形成方法，且特别是涉及一种晶体管及其形成方法。
技术介绍
为了在半导体芯片上形成一设计的集成电路(integratedcircuits)，一般是制作一光掩模，并在光掩模上形成一设计的布局(layout)图案，再通过黄光光刻(photolithography)制作工艺将光掩模上的图案转移到半导体结构表面的光致抗蚀剂层上，进而将集成电路的布局图案转移到半导体结构上。所以光刻制作工艺可说是半导体制作工艺中非常重要的关键步骤。由于在光掩模上所能制作出的图案的临界尺寸(criticaldimension,CD)会受限于曝光机台(opticalexposuretool)的分辨率极限(resolutionlimit)，因此当集成度(integration)逐渐提高，电路图案设计越来越小，在对这些高密度排列的光掩模进行曝光制作工艺以进行图案转移时，很容易产生光学接近效应(opticalproximityeffect,OPE)，造成图案转移的偏差(deviation)或是图案变形而影响产品电性特征。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：/n形成栅极，方法包括：/n形成栅介电层于基底上；/n形成栅电极于该栅介电层上；及/n形成氮化物间隙壁于该栅电极的侧壁上；及/n形成含磷的介电层于该栅极上，其中该含磷的介电层具有一变化的磷掺杂质密度分布轮廓。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：
形成栅极，方法包括：
形成栅介电层于基底上；
形成栅电极于该栅介电层上；及
形成氮化物间隙壁于该栅电极的侧壁上；及
形成含磷的介电层于该栅极上，其中该含磷的介电层具有一变化的磷掺杂质密度分布轮廓。


2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该含磷的介电层具有类火焰轮廓部分或类花苞轮廓部分。


3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该含磷的介电层具有数个类火焰轮廓部分或类花苞轮廓部分，分别对应该些栅极。


4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该含磷的介电层包括：
第一磷掺杂质密度区域，在该栅极上，并具有一顶点；
第二磷掺杂质密度区域，在该第一磷掺杂质密度区域上，并具有一另一顶点，其中定义在该第一磷掺杂质密度区域的该顶点与该第二磷掺杂质密度区域的该另一顶点之间的直线是偏离一垂直方向。


5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其中该第一磷掺杂质密度区域的磷掺杂质密度是高于与该第二磷掺杂质密度区域的磷掺杂质密度。


6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该含磷的介电层包括磷掺杂质密度区域，该磷掺杂质密度区域在该栅极的上表面上，并具有从该磷掺杂质密度区域的底部分至顶部分逐渐变小的宽度。


7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该含磷的介电层包括磷掺杂质密度区域，该磷掺杂质密度区域在该栅极的上表面上，并具有类三角形状。


8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，还包括进行蚀刻步骤，该蚀刻步骤对该含磷的介电层具有蚀刻选择性。


9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，包括通过该蚀刻步骤在该含磷的介电层中形成一接触开口。


10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，还包括形成接触元件在该接触开口中。

【专利技术属性】
技术研发人员：王祯贞，张建军，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71