半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的栅极结构，以垂直于栅极结构的延伸方向为横向；在栅极结构的侧壁上形成第一侧墙材料层；形成第一侧墙材料层后，刻蚀栅极结构两侧的衬底，形成沟槽；形成沟槽后，从横向上，对第一侧墙材料层进行减薄处理，形成第一侧墙层；在第一侧墙层露出的沟槽中形成源漏掺杂层。本发明专利技术实施例，从横向上，对第一侧墙材料层进行减薄处理，形成第一侧墙层，使得相邻栅极结构侧壁上第一侧墙层之间的距离变大，在采用外延生长法形成源漏掺杂层的过程中，反应气体更易进入沟槽中，提高了源漏掺杂层的形成质量，提高了沟道中载流子的迁移速率，有利于提高半导体结构的电学性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源区与漏区间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(pinchoff)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthresholdleakage)现象，即所谓的短沟道效应(short-channeleffects，SCE)更容易发生。因此，为了减小短沟道效应的影响，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面MOSFET相比，栅极结构对沟道的控制能力更强，能够很好的抑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的栅极结构，以垂直于所述栅极结构的延伸方向为横向；/n在所述栅极结构的侧壁上形成第一侧墙材料层；/n形成所述第一侧墙材料层后，刻蚀所述栅极结构两侧的所述衬底，形成沟槽；/n形成所述沟槽后，从横向上，对所述第一侧墙材料层进行减薄处理，形成第一侧墙层；/n在所述第一侧墙层露出的所述沟槽中形成源漏掺杂层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的栅极结构，以垂直于所述栅极结构的延伸方向为横向；
在所述栅极结构的侧壁上形成第一侧墙材料层；
形成所述第一侧墙材料层后，刻蚀所述栅极结构两侧的所述衬底，形成沟槽；
形成所述沟槽后，从横向上，对所述第一侧墙材料层进行减薄处理，形成第一侧墙层；
在所述第一侧墙层露出的所述沟槽中形成源漏掺杂层。


2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述沟槽后，形成所述第一侧墙层前还包括：形成保形覆盖所述沟槽的种子层；或者，形成所述第一侧墙层后，形成源漏掺杂层前还包括：形成保形覆盖所述沟槽的种子层。


3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮碳硼化硅和氮碳化硅中的一种或多种。


4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙层的厚度为1纳米至2纳米。


5.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺对所述第一侧墙材料层进行减薄处理，形成所述第一侧墙层。


6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用磷酸溶液刻蚀所述第一侧墙材料层，形成所述第一侧墙层。


7.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述沟槽后，形成所述第一侧墙层前还包括：对所述沟槽进行清洗处理。


8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述清洗处理中采用的气体包括He、NH3和Ar中的一种或多种。


9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述种子层的材料包括：Si。


10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用选择性外延生长工艺或者分子束外延技术形成所述种子层。


11.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31