一种半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术公开一种半导体器件的制备方法，其至少包括：在衬底上定义中压元件区域和低压元件区域；在衬底上中压元件区域和低压元件对应的区域分别形成第一栅极氧化层和第二栅极氧化层；在第一栅极氧化层上形成第一栅极，在第二栅极氧化层上形成第二栅极在第一栅极侧壁形成第一侧墙，在第二栅极侧壁形成第二侧墙；在衬底中对第二栅极的两侧进行第一次离子注入，形成第一离子注入区；在第一离子注入区中进行第二次离子注入，形成第二离子注入区；在第一离子注入区中进行第三次离子注入，形成源/漏区。本发明专利技术解决了在低压元件和中压元件集成的半导体器件制备过程中，工艺复杂成本高的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制备方法
本专利技术属于半导体
，特别是涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
随着半导体器件制程的逐步稳定，在现有的工艺中，通常可以将低压装置和中压装置器件集成制造半导体器件，例如以1.5V-5V逻辑电源为例，包括1.5V低压轻掺杂汲极工艺(LVLDD)和5V中压轻掺杂汲极工艺（MVLDD）。而轻掺杂汲极工艺（LDD）是指在金属-氧化物半导体场效应晶体管汲极区域植入比较轻淡的与源、漏极（S/D）同类型离子的一种低能量，低浓度的离子植入工艺。其目的是减低金属-氧化物半导体场效应晶体管汲极区域电场强度，从而改善可靠度问题中比如像热载子效应(hotcarrierinjection)等问题。该工艺就目前来说，已经被大规模运用于集成电路金属-氧化物半导体场效应晶体管的基本结构中。但随着半导体中/低端市场竞争压力的日益增加，大部分客户在选择成熟工艺（比如110nm）的同时也会要求制品在不影响装置特性的前提下降低成本。正因如此，在工艺流程中省去中压轻掺杂汲极工艺步骤的做法就显得格外重要，但是，在低压装置和中压装置集成的逻辑电源中，如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：/n提供一衬底；/n在所述衬底上定义中压元件区域和低压元件区域；/n在所述中压元件区域和所述低压元件区域上分别形成第一栅极氧化层和第二栅极氧化层；/n在所述第一栅极氧化层上形成第一栅极，在所述第二栅极氧化层上形成第二栅极；/n在所述第一栅极侧壁形成第一侧墙，在所述第二栅极侧壁形成第二侧墙；/n在所述第二栅极两侧的所述衬底中进行第一次离子注入，形成第一离子注入区；/n对应于所述第一离子注入区的位置向所述衬底进行第二次离子注入，形成第二离子注入区；/n分别对所述第一栅极及所述第二栅极两侧的所述衬底中进行第三次离子注入，以形成源区和漏区，...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上定义中压元件区域和低压元件区域；
在所述中压元件区域和所述低压元件区域上分别形成第一栅极氧化层和第二栅极氧化层；
在所述第一栅极氧化层上形成第一栅极，在所述第二栅极氧化层上形成第二栅极；
在所述第一栅极侧壁形成第一侧墙，在所述第二栅极侧壁形成第二侧墙；
在所述第二栅极两侧的所述衬底中进行第一次离子注入，形成第一离子注入区；
对应于所述第一离子注入区的位置向所述衬底进行第二次离子注入，形成第二离子注入区；
分别对所述第一栅极及所述第二栅极两侧的所述衬底中进行第三次离子注入，以形成源区和漏区，其中，所述第二离子注入区位于所述源区和所述漏区的垂直下边界处，所述第二离子注入区的极性与对应的所述源区和所述漏区的极性相反。


2.根据权利要求1所述一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二次离子注入的注入方向为垂直于所述衬底的方向。


3.根据权利要求1所述一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二次离子注入的能量通过以下公式获得：
E=λ*E0*cosδ0
其中E为第二次离子注入的能量；λ为第二次离子注入的注入深度与能量的关系；E0为第三次离子注入的能量；δ0为第三次离子注入的角度。


4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢烈翔，李庆民，林滔天，祝进专，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11