一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提出一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底；所述半导体衬底内至少包括中压区域，所述中压区域包括第一中压区和第二中压区；形成栅极结构于所述第一中压区和所述第二中压区上；形成侧墙结构于所述栅极结构的两侧；形成光阻层于所述半导体衬底上，所述光阻层包括至少一开口，所述开口暴露所述第一中压区或所述第二中压区；进行离子掺杂步骤，以形成源极和漏极，对所述光阻层进行减薄处理，通过倾斜离子注入的方式在所述第一中压区或所述第二中压区内形成第一轻型掺杂区。本发明专利技术提出的半导体器件的制造方法可以改善光阻对离子注入的阻挡效应，提高器件的性能，同时节约成本，简化工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
在驱动集成电路中，通常将耐压能力不同的晶体管在同一衬底上形成，例如将中压晶体管和低压晶体管在同一衬底上形成。不论中压晶体管还是低压晶体管，先将其中之一在衬底上形成，再将另一个在同一衬底上形成。通过分别处理形成形成中压晶体管或低压晶体管时，由于制造工艺多，导致效率低且成本高。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本专利技术提出一种半导体器件的制造方法，以简化半导体器件的制程。为实现上述目的及其他目的，本专利技术提出一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底；所述半导体衬底至少包括中压区域，所述中压区域包括第一中压区和第二中压区，所述第一中压区和所述第二中压区通过隔离结构隔开；形成栅极结构于所述第一中压区和所述第二中压区上；形成侧墙结构于所述栅极结构的两侧；形成光阻层于所述半导体衬底上，所述光阻层包括至少一开口，所述开口暴露所述第一中压区或所述第二中压区，其中，所述开口的宽度为第一宽度，所述开口的厚度为第一厚度；进行离子掺杂步骤，以在所述第一中压区或所述第二中压区中形成源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述栅极结构的两侧；对所述光阻层进行减薄处理，以使所述开口的宽度变为第二宽度，所述开口的厚度变为第二厚度，其中，所述第一宽度小于所述第二宽度，所述第一厚度大于所述第二厚度；通过倾斜离子注入的方式在所述第一中压区或所述第二中压区内形成第一轻型掺杂区，所述第一轻型掺杂区位于所述栅极结构的两侧，且分别与所述源极和所述漏极接触。进一步地，所述半导体衬底还包括低压区域，所述低压区域和所述中压区域通过所述隔离结构隔开，所述低压区域包括第一低压区和第二低压区，所述第一低压区和所述第二低压区通过所述隔离结构隔开。进一步地，在形成栅极结构于所述第一低压区和所述第二低压区上之后，以及在形成侧墙结构于所述第一低压区和所述第二低压区上之前，还包括在所述第一低压区和所述第二低压区内形成第二轻型掺杂区，以及在所述第一低压区和所述第二低压区内至少形成第一口袋区和第二口袋区。进一步地，所述第二口袋区位于所述第二轻型掺杂区的外侧，且与所述第二轻型掺杂区接触；所述第一口袋区分别与所述第二口袋区、所述第二轻型掺杂区接触。进一步地，当所述光阻层同时暴露所述第一中压区和所述第一低压区时，通过所述离子掺杂步骤，以在所述第一中压区内形成所述源极和所述漏极，以及在所述第一低压区内形成所述源极和所述漏极。进一步地，当所述光阻层同时暴露所述第二中压区和所述第二低压区时，通过所述离子掺杂步骤，以在所述第二中压区内形成所述源极和所述漏极，以及在所述第二低压区内形成所述源极和所述漏极。进一步地，在对所述第一中压区进行倾斜离子注入的同时，对所述第一低压区进行倾斜离子注入；在对所述第二中压区进行倾斜离子注入的同时，对所述第二低压区进行倾斜离子注入。进一步地，所述倾斜离子注入的角度在25°-50°。进一步地，位于所述第一中压区内的所述第一轻型掺杂区的离子掺杂类型不同于位于所述第二中压区内的所述第一轻型掺杂区的离子掺杂类型。进一步地，通过氧气等离子体对所述光阻层进行减薄处理。综上所述，本专利技术提出一种半导体器件的制造方法，本专利技术在形成低压区域之后，然后再形成中压区域。在形成中压区域时，首先在第一中压区和第二中压区上形成栅极结构和侧墙结构，然后通过光阻层的开口暴露出第一中压区或第二中压区域，然后分别在第一中压区或第二中压区内形成源极和漏极，然后对光阻层进行减薄处理，使得开口的宽度变大，光阻层的厚度减小，然后进行倾斜离子注入，从而在第一中压区或第二中压区内形成第一轻型掺杂区。由于开口的宽度变大，光阻层的厚度减小，因此倾斜离子注入的角度变大，可以在形成侧墙结构之后的第一中压区或第二中压区内形成第一轻型掺杂区，因此可以改善光阻层对离子注入的阻挡效应，提高器件性能。同时，本专利技术在形成源极和漏极之后，不需要去除光阻层，因此可以省略一次光罩制程，从而简化工艺制程，降低成本。附图说明图1：本实施例提出的半导体器件的制造方法流程图。图2：半导体衬底的结构示意图。图3：栅极氧化层和多晶硅层在半导体衬底上的结构示意图。图4：栅极结构在半导体衬底上的结构示意图。图5：低压区域的第一阱区中形成第二轻型掺杂区，第一口袋区和第二口袋区在半导体衬底上的结构示意图。图6：低压区域的第二阱区中形成第二轻型掺杂区，第一口袋区和第二口袋区在半导体衬底上的结构示意图。图7：侧墙介质层在半导体衬底上的结构图。图8：侧墙结构在半导体衬底上的结构图。图9：第一阱区形成源极和漏极在半导体衬底上的结构图。图10：光阻层减薄后在半导体衬底上的结构图。图11：第一轻型掺杂区在半导体衬底上的结构图。图12：第二阱区形成源极和漏极在半导体衬底上的结构图。图13：光阻层减薄后在半导体衬底上的结构图。图14：本实施例提出的半导体器件的结构图。符号说明101：半导体衬底；102：浅沟槽隔离结构；103：第一阱区；104：第二阱区；105：栅极氧化层；105a：栅极介质层；106：多晶硅层；106a：栅电极层；107：栅极结构；108：光阻层；1081：第一开口；1082：第二开口；109：第二轻型掺杂区；110：第一口袋区；111：第二口袋区；112：侧墙介质层；112a：侧墙结构；113：源极；114：漏极：115第一轻型掺杂区。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图1所示，本实施例提出一种半导体器件的制造方法，包括：S1：提供一半导体衬底，所述半导体衬底内通过浅沟槽隔离结构隔离出间隔排列的第一阱区和第二阱区，并定义出中压区域和低压区域；S2：形成栅极结构于所述第一阱区和所述第二阱区上；S3：在所述低压区域内形成第二轻型掺杂区，第一口袋区和第二口袋区；S4：形成侧墙结构于所述第一阱区和所述第二阱区上；S5：在所述中压区域和所述低压区域上形成光阻层，以在所述中压区域和所述低压区域内形成源极和漏极；S6：对光阻层进行减薄处理，在所述中压区域内形成第一轻型掺杂区。如图2所示，在步骤S1中，首先提供一半导体衬底101，然后在半导体衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一半导体衬底；所述半导体衬底至少包括中压区域，所述中压区域包括第一中压区和第二中压区，所述第一中压区和所述第二中压区通过隔离结构隔开；/n形成栅极结构于所述第一中压区和所述第二中压区上；/n形成侧墙结构于所述栅极结构的两侧；/n形成光阻层于所述半导体衬底上，所述光阻层包括至少一开口，所述开口暴露所述第一中压区或所述第二中压区，其中，所述开口的宽度为第一宽度，所述开口的厚度为第一厚度；/n进行离子掺杂步骤，以在所述第一中压区或所述第二中压区中形成源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述栅极结构的两侧；/n对所述光阻层进行减薄处理，以使所述开口的宽度变为第二宽度，所述开口的厚度变为第二厚度，其中，所述第一宽度小于所述第二宽度，所述第一厚度大于所述第二厚度；/n通过倾斜离子注入的方式在所述第一中压区或所述第二中压区内形成第一轻型掺杂区，所述第一轻型掺杂区位于所述栅极结构的两侧，且分别与所述源极和所述漏极接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底；所述半导体衬底至少包括中压区域，所述中压区域包括第一中压区和第二中压区，所述第一中压区和所述第二中压区通过隔离结构隔开；
形成栅极结构于所述第一中压区和所述第二中压区上；
形成侧墙结构于所述栅极结构的两侧；
形成光阻层于所述半导体衬底上，所述光阻层包括至少一开口，所述开口暴露所述第一中压区或所述第二中压区，其中，所述开口的宽度为第一宽度，所述开口的厚度为第一厚度；
进行离子掺杂步骤，以在所述第一中压区或所述第二中压区中形成源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述栅极结构的两侧；
对所述光阻层进行减薄处理，以使所述开口的宽度变为第二宽度，所述开口的厚度变为第二厚度，其中，所述第一宽度小于所述第二宽度，所述第一厚度大于所述第二厚度；
通过倾斜离子注入的方式在所述第一中压区或所述第二中压区内形成第一轻型掺杂区，所述第一轻型掺杂区位于所述栅极结构的两侧，且分别与所述源极和所述漏极接触。


2.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底还包括低压区域，所述低压区域和所述中压区域通过所述隔离结构隔开，所述低压区域包括第一低压区和第二低压区，所述第一低压区和所述第二低压区通过所述隔离结构隔开。


3.根据权利要求2所述半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成栅极结构于所述第一低压区和所述第二低压区上之后，以及在形成侧墙结构于所述第一低压区和所述第二低压区上之前，还包括在所述第一低压区和所述第二低压区内形成第二轻型掺杂区，以及在所述第一低压区和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴涵涵，操梦雅，金起凖，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11