一种半导体器件的形成方法及半导体器件技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的形成方法，包括在衬底上形成鳍片、伪栅极和封装结构；在伪栅极的一侧形成第一层间介质层，在相邻鳍片之间形成第二层间介质层，同时形成鳍部第一掩膜沟槽；在第一层间介质层和第二层间介质层的周侧沉积薄膜层，以形成隔离结构；在第二层间介质层远离衬底的一侧形成鳍部第二掩膜沟槽。相比于现有技术中在层间介质层上直接沉积各层掩膜层材料以形成掩膜。本发明专利技术利用薄膜层，将第一层间介质层和第二层间介质层周侧形成的鳍部第一掩膜沟槽，以及第二层间介质层远离衬底一侧形成的鳍部第二掩膜沟槽进行隔离，有效地避免了各层掩膜层材料之间发生短路的问题。本发明专利技术还公开了一种性能更好的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的形成方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件的形成方法及半导体器件。
技术介绍
为了顺应摩根定律的发展，并且满足人们对各种电子产品拥有更小的体积，占用更小的空间，更加便于携带和操作的要求，半导体生产制造技术正在以高集成度、低功耗、高性能为目标快速发展。目前的半导体产业中，集成电路产品主要可以分为三大类型：数字电路、模拟电路、数模混合电路，其中，存储器是数字电路中的一个非常重要的类型。近年来，随着半导体工艺的发展，在存储器方面已经开发出了随机存取存储器等数据存储功能强大的存储器。而静态随机存取存储器(StaticRandom-AccessMemory，SRAM)作为随机存取存储器的代表，因其只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持的特点被广泛应用在各个领域中。此外，为了不断提高电流对半导体电路的驱动能力，并进一步抑制短沟道效应，半导体器件已从传统的单栅平面器件发展到多栅三维器件，例如鳍式场效应晶体管(FinFET)。在FinFET工艺流程的中段制程(Middle-End-Of-Line，ME本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成鳍片，横跨所述鳍片形成伪栅极，且在所述伪栅极两侧横跨所述鳍片形成封装结构；/n在所述伪栅极远离所述衬底的一侧形成第一层间介质层，在相邻的所述鳍片之间形成第二层间介质层，所述第一层间介质层和所述第二层间介质层的周侧形成鳍部第一掩膜沟槽，所述鳍部第一掩膜沟槽在所述衬底上的投影与所述封装结构在所述衬底上的投影部分重合；/n在所述第一层间介质层和所述第二层间介质层的周侧沉积薄膜层，以形成隔离结构；/n在所述第二层间介质层远离所述衬底的一侧形成鳍部第二掩膜沟槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成鳍片，横跨所述鳍片形成伪栅极，且在所述伪栅极两侧横跨所述鳍片形成封装结构；
在所述伪栅极远离所述衬底的一侧形成第一层间介质层，在相邻的所述鳍片之间形成第二层间介质层，所述第一层间介质层和所述第二层间介质层的周侧形成鳍部第一掩膜沟槽，所述鳍部第一掩膜沟槽在所述衬底上的投影与所述封装结构在所述衬底上的投影部分重合；
在所述第一层间介质层和所述第二层间介质层的周侧沉积薄膜层，以形成隔离结构；
在所述第二层间介质层远离所述衬底的一侧形成鳍部第二掩膜沟槽。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述伪栅极周侧还沉积有刻蚀停止层；
所述在所述第一层间介质层和所述第二层间介质层的周侧沉积薄膜层之前，还包括：刻蚀所述伪栅极周侧的所述刻蚀停止层的周侧，以使所述刻蚀停止层在所述衬底上的投影在所述第一层间介质层在所述衬底上的投影的范围内。


3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述在所述第一层间介质层和所述第二层间介质层的周侧沉积薄膜层之前，还包括：
在所述封装结构远离所述衬底的一侧沉积硅化物。


4.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一层间介质层和所述第二层间介质层远离所述衬底的一侧高出于所述封装结构远离所述衬底的一侧。


5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：
在所述鳍部第一掩膜沟槽和所述鳍部第二掩膜沟槽内分别沉积掩膜层材料。


6.根据权利要求2-5任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，
所述衬底上还形成有浅沟槽隔离层，所述浅沟槽隔离层设置在所述鳍片的周侧；
在所述浅沟槽隔离层远离所述衬底的一侧形成所述刻蚀停止层，所述刻蚀停止层围绕所述浅沟槽隔离层、所述鳍片未与所述浅沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31