半导体器件及其形成方法技术

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；在所述衬底第一区上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层；在所述第一栅极结构侧壁形成第一侧墙；形成第一侧墙过程中，在部分衬底第二区上形成第二栅介质层，所述第二栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度；在所述第二栅介质层上形成第二栅极层。所述方法简化了形成所述半导体器件的制程。

Semiconductor device and its forming method

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：逻辑、存储器和模拟电路，为实现高级程度和更为广泛的应用，需要将不同功能的器件同时形成在一个芯片上，以形成嵌入式半导体装置。例如将核心器件和输入输出器件集成在同一芯片内。核心器件承担了半导体器件的主要功能，核心器件的尺寸决定了半导体制造行业的水平，因此核心器件的关键尺寸不断缩小，从而导致核心器件所能承受的电压较低。输入输出器件用于处理电信号的输入和输出，因此要求输入输出器件所能承受的电压较高。然而，现有技术中形成集成了多种功能器件的半导体器件的制程较为复杂。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以简化形成所述半导体器件的制程。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；/n在所述衬底第一区上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层；/n在所述第一栅极结构侧壁形成第一侧墙；/n形成第一侧墙过程中，在部分衬底第二区上形成第二栅介质层，所述第二栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度；/n在所述第二栅介质层上形成第二栅极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；
在所述衬底第一区上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层；
在所述第一栅极结构侧壁形成第一侧墙；
形成第一侧墙过程中，在部分衬底第二区上形成第二栅介质层，所述第二栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度；
在所述第二栅介质层上形成第二栅极层。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二栅介质层的厚度范围为100埃～500埃。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成第二栅介质层后，形成第二栅极层前，在所述衬底和第一栅极结构上形成介质层，所述介质层内具有第一开口，所述第一开口暴露出第二栅介质层；在所述第一开口内形成第二栅极层。


4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，第一开口的形成方法包括：在所述衬底和第一栅极结构上形成初始介质层；在所述初始介质层上形成在所述初始介质层表面形成第一图形层，所述第一图形化层暴露出部分第二区初始介质层表面；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述初始介质层，直至暴露出第二栅介质层，形成所述第一开口。


5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构还包括：位于第一栅介质层表面的第一栅极层。


6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一栅极层上形成第一栅极插塞，所述第一栅极插塞与第一栅极层电连接。


7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二栅极层的过程中，形成所述第一栅极插塞。


8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二栅极层的材料包括：金属材料，所述金属材料包括铜、钨、镍、铬、钛、钽和铝中的一种或多种组合。


9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二栅介质层的形成方法包括：在所述衬底第一区和衬底第二区表面、以及第一栅极结构表面形成初始第二栅介质膜；在初始第二栅介质膜表面形成掩膜层，所述掩膜层位于部分衬底第二区上；形成掩膜层后，以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述初始第二栅介质膜，直至暴露出衬底和第一栅极结构表面，在所述第一栅极结构侧壁形成所述第一侧墙，且在所述衬底第二子区表面形成第二栅介质层。


10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：张进书，马燕春，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31