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本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括在衬底上形成鳍片、伪栅极和封装结构；在伪栅极的一侧形成第一层间介质层，在相邻鳍片之间形成第二层间介质层，同时形成鳍部第一掩膜沟槽；在第一层间介质层和第二层间介质层的周侧沉积薄膜层，以形成隔离结构；在...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。