一种鳍区隔离结构及半导体器件的形成方法及半导体器件技术

本发明专利技术公开了一种鳍区隔离结构的形成方法，包括：在衬底上形成具有鳍片的鳍区；在相邻鳍区的相邻鳍片之间形成鳍区沟槽；在鳍区沟槽内沉积隔离氧化层，以形成鳍区隔离结构。本发明专利技术提供的鳍区隔离结构的形成方法，通过在鳍区沟槽内沉积隔离氧化层的方法，使得相邻的两个鳍区被隔离氧化层隔离开，避免了相邻的两个鳍区的外延层的距离过近，从而使外延层发生短路的情况，由此避免了因外延层发生短路而造成的集成电路功耗增加、因短路电流产生电子迁移的现象影响晶体管性能的问题；从而降低了整个集成电路的功耗，提高了半导体器件的性能。本发明专利技术还提供了一种通过上述方法形成鳍区隔离结构的半导体器件的形成方法，以及一种性能更好的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
一种鳍区隔离结构及半导体器件的形成方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种鳍区隔离结构及半导体器件的形成方法及半导体器件。
技术介绍
为了顺应摩根定律的发展，半导体器件的尺寸正在不断减小，以达到高器件密度、高性能、低成本的要求。而在半导体器件的尺寸不断减小的同时，器件源极到漏极之间的距离也在缩短。由此导致栅极对导电沟道的控制能力变差，容易产生短沟道效应。为了抑制短沟道效应，立体场效应管逐渐占领舞台，例如鳍式场效应管(FinFET)。与平面型场效应管相比，FinFET的栅极对沟道的控制能力更强，能够较好的抑制短沟道效应。但是，现有技术中，对于短沟道效应的改善，仍无法满足场效应管在集成时的需求。随着技术不断发展，立体场效应管的体积逐渐缩小，现在已经能够达到10nm以下的制程节点。目前，为了抑制FinFET的短沟道效应，通常在源极和栅极之间、漏极和栅极之间设置外延层，这样可以使源极到栅极、漏极到栅极之间实际的距离增大，以此来改善短沟道效应。也正是因为有了外延层，FinFET的尺寸才可以变得越来越小。目前的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍区隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成具有鳍片的鳍区；/n在相邻所述鳍区的相邻所述鳍片之间形成鳍区沟槽；/n在所述鳍区沟槽内沉积隔离氧化层，以形成所述鳍区隔离结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种鳍区隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成具有鳍片的鳍区；
在相邻所述鳍区的相邻所述鳍片之间形成鳍区沟槽；
在所述鳍区沟槽内沉积隔离氧化层，以形成所述鳍区隔离结构。


2.根据权利要求1所述的鳍区隔离结构的形成方法，其特征在于，S2≥2S1，S2为相邻所述鳍区的相邻的所述鳍片之间的鳍间距，S1为所述鳍区内所述鳍片之间的鳍间距。


3.根据权利要求2所述的鳍区隔离结构的形成方法，其特征在于，所述在相邻所述鳍区的相邻所述鳍片之间形成鳍区沟槽，包括：在所述鳍片周侧沉积的牺牲材料层上形成所述鳍区沟槽。


4.根据权利要求3所述的鳍区隔离结构的形成方法，其特征在于，所述在所述鳍片周侧沉积的牺牲材料层上形成所述鳍区沟槽，包括：
在所述鳍片周侧沉积所述牺牲材料层，沉积所述牺牲材料层时，使得S1/2＜S3＜S2/2，其中S3为所述牺牲材料层的厚度；或，
在所述鳍片周侧沉积所述牺牲材料层，刻蚀所述相邻鳍区的相邻的鳍片之间的所述牺牲材料层以形成所述鳍区沟槽。


5.根据权利要求4所述的鳍区隔离结构的形成方法，其特征在于，所述在鳍片周侧沉积牺牲材料层，包括：
在所述衬底上沉积的浅沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31