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本发明公开一种半导体器件的制备方法，其至少包括：在衬底上定义中压元件区域和低压元件区域；在衬底上中压元件区域和低压元件对应的区域分别形成第一栅极氧化层和第二栅极氧化层；在第一栅极氧化层上形成第一栅极，在第二栅极氧化层上形成第二栅极在第一栅极...
该专利属于晶芯成(北京)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成(北京)科技有限公司授权不得商用。

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