温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基底、栅极、及含磷的介电层。栅极在基底上。含磷的介电层在栅极上。含磷的介电层具有变化的磷掺杂质密度分布轮廓。...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。