半导体结构及其形成方法技术

技术编号:26795455 阅读:45 留言:0更新日期:2020-12-22 17:12
一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底,所述衬底包括相邻的第一区和第二区,且所述第一区和第二区沿第一方向排列;在所述衬底表面形成若干相互分立的伪栅极结构,且若干所述伪栅极结构沿第二方向平行排列,所述第二方向垂直于第一方向;在第二区上的伪栅极结构侧壁表面形成保护层;在第二区上的保护层侧壁表面形成第二侧墙,在第一区上的伪栅极结构侧壁表面形成第一侧墙。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着集成电路制造技术的快速发展,促使集成电路中的半导体器件的尺寸不断地缩小,使整个集成电路的运作速度将因此而能有效地提升。但是当元件的尺寸再进一步缩小时,对现有的工艺相应带来挑战。目前,通过形成具有两种关键尺寸的栅极结构的半导体结构可以提高器件性能。然而,现有技术形成的具有两种关键尺寸的栅极结构的半导体结构的性能仍较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法,以提高形成的半导体结构的性能。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括相邻的第一区和第二区,且所述第一区和第二区沿第一方向排列;在所述衬底表面形成若干相互分立的伪栅极结构,且若干所述伪栅极结构沿第二方向平行排列,所述第二方向垂直于第一方向;在第二区上的伪栅极结构侧壁表面形成保护层;在第二区上的保护层侧壁表面形成第二侧墙,在第一区上的伪栅极结构侧壁表面形成第一侧墙。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:/n提供衬底,所述衬底包括相邻的第一区和第二区,且所述第一区和第二区沿第一方向排列;/n在所述衬底表面形成若干相互分立的伪栅极结构,且若干所述伪栅极结构沿第二方向平行排列,所述第二方向垂直于第一方向;/n在第二区上的伪栅极结构侧壁表面形成保护层;/n在第二区上的保护层侧壁表面形成第二侧墙,在第一区上的伪栅极结构侧壁表面形成第一侧墙。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底包括相邻的第一区和第二区,且所述第一区和第二区沿第一方向排列;
在所述衬底表面形成若干相互分立的伪栅极结构,且若干所述伪栅极结构沿第二方向平行排列,所述第二方向垂直于第一方向;
在第二区上的伪栅极结构侧壁表面形成保护层;
在第二区上的保护层侧壁表面形成第二侧墙,在第一区上的伪栅极结构侧壁表面形成第一侧墙。


2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,沿第二方向上,所述伪栅极结构的尺寸范围为5纳米~30纳米。


3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,沿第二方向上,所述保护层的尺寸范围为1纳米~10纳米。


4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述保护层的材料包括:氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅。


5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述保护层的方法包括:在所述第一区上形成掩膜层,且所述掩膜层暴露出所述第二区表面以及位于第二区表面的伪栅极结构的侧壁表面和顶部表面;以所述掩膜层为掩膜,采用类原子层沉积工艺,在第二区表面和位于第二区表面的伪栅极结构的侧壁表面和顶部表面形成保护材料膜;回刻蚀所述保护材料膜,直至暴露出伪栅极结构顶部表面和衬底表面,形成所述保护层;形成所述保护层之后,去除所述掩膜层。


6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述类原子层沉积工艺的温度范围为0摄氏度~100摄氏度。


7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一侧墙和第二侧墙的材料包括:氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。


8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一侧墙和第二侧墙的形成方法包括:在所述衬底表面、保护层顶部和侧壁表面、以及伪栅极结构暴露出的表面形成侧墙材料膜;回刻蚀所述侧墙材料膜,直至暴露出伪栅极结构顶部表面、保护层顶部表面以及衬底表面,在第二区上的保护层侧壁表面形成所述第二侧墙,在第一区上的伪栅极结构侧壁表面形成所述第一侧墙。


9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:纪世良张海洋
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司中芯国际集成电路制造北京有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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