半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS区和PMOS区；在衬底上形成隔离层；在隔离层上形成若干分立排布的硬掩膜层，若干分立排布的硬掩膜层定义鳍部图形；去除硬掩膜层覆盖的隔离层，直至暴露出衬底，在隔离层内形成开口；在NMOS区的开口内形成第一鳍部；在PMOS区的开口内形成第二鳍部；本发明专利技术利用隔离层上的硬掩膜层来定义好鳍部的图形，设定好在需要的位置形成鳍部，就不会有多余的鳍部形成，就不存在去除多余鳍部的过程，保证了形成的鳍部的质量，同时形成的第一鳍部的高度和第二鳍部的高度可以根据的实际的需求设定，工艺变得灵活，使得形成的半导体器件的性能得到提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。为了克服器件的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(FinFET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离结构，所述隔离结构覆盖部分所述鳍部的侧壁，位于衬底上且横跨鳍部的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。然而随着半导体器件的尺寸不断缩小，器件密度的提高，如何保证形成质量好的半导体器件，这是目前急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，保证了形成的半导体器件具有较高的质量。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底包括NMOS区和PMOS区；/n在所述衬底上形成隔离层；/n在所述隔离层上形成若干分立排布的硬掩膜层，若干分立排布的所述硬掩膜层定义鳍部图形；/n去除所述硬掩膜层覆盖的所述隔离层，直至暴露出所述衬底，在所述隔离层内形成开口；/n在所述NMOS区的所述开口内形成第一鳍部；/n在所述PMOS区的所述开口内形成第二鳍部。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括NMOS区和PMOS区；
在所述衬底上形成隔离层；
在所述隔离层上形成若干分立排布的硬掩膜层，若干分立排布的所述硬掩膜层定义鳍部图形；
去除所述硬掩膜层覆盖的所述隔离层，直至暴露出所述衬底，在所述隔离层内形成开口；
在所述NMOS区的所述开口内形成第一鳍部；
在所述PMOS区的所述开口内形成第二鳍部。


2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部的材料包括硅，所述第二鳍部的材料包括硅锗。


3.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，采用外延生长的方式形成所述第一鳍部和所述第二鳍部。


4.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一鳍部的步骤包括：
在相邻的所述硬掩膜层之间形成掩膜层；
在所述PMOS区的所述硬掩膜层和所述掩膜层上形成第一光刻胶层；
去除所述NMOS区的所述硬掩膜层，以所述NMOS区的所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述NMOS区的所述隔离层，直至暴露出所述衬底，在所述NMOS区的所述隔离层内形成开口；
在所述开口内形成第一鳍部。


5.如权利要求4所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二鳍部的步骤包括：
去除所述第一光刻胶层；
在所述NMOS区的所述第一鳍部上和所述掩膜层上形成第二光刻胶层；
去除所述PMOS区的所述硬掩膜层，以所述PMOS区的所述掩膜层为掩膜，刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31