一种半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底上形成有至少两个相邻的晶体管区；相邻的晶体管区的相接处形成有浅隔离沟槽。为了保护浅隔离沟槽的侧壁上的材料在后续刻蚀中不被不同程度地刻蚀，可在浅隔离沟槽的侧壁上形成第一电介质层，用于保护浅隔离沟槽的侧壁的材料不被刻蚀掉，防止浅隔离沟槽的宽度变大，使得半导体器件的性能较佳。进一步地，本发明专利技术还提供一种半导体器件，在浅隔离沟槽的侧壁上形成第一电介质层，用于保护浅隔离沟槽的侧壁的材料不被刻蚀掉，防止浅隔离沟槽的宽度变大，使得半导体器件的性能较佳。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
在半导体制造领域中，常使用隔离结构来隔离设置在半导体衬底上的众多材料。在这些隔离结构中，采用浅隔离沟槽结构，因为浅隔离沟槽可很好地适用于器件尺寸较小的半导体器件。类似的，单扩散中断(singlediffusionbreak，SDB)是一种用于技术扩展以在较小设计面积上获得相同功能的集成电路的技术。单扩散中断可用于缩小半导体器件的电路面积，从而支持高密度集成电路的形成。然而，目前的单扩散中断的制程因临近该浅隔离沟槽区域形成的源/漏腔体，保留于单扩散中断的浅隔离沟槽的侧壁上的材料会被不同程度的刻蚀，影响浅隔离沟槽的侧壁材料的完整性，从而影响半导体器件的性能。如图1a-图1f所示，现有技术中，半导体器件10的工艺过程为如图1a所示，提供衬底，在衬底上形成晶体管区。如图1b所示，刻蚀晶体管区，形成浅隔离沟槽101。然后如图1c所示，在浅隔离沟槽101内填充隔离材料103。然后如图1d、1e所示，刻蚀及去除隔离材料103。最后如图1f所示，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供衬底，所述衬底上形成有至少两个相邻的晶体管区；/n至少两个相邻的所述晶体管区的相接处形成有浅隔离沟槽；/n在所述浅隔离沟槽的侧壁形成第一电介质层；/n在所述浅隔离沟槽内、所述晶体管区远离所述衬底的一侧填充单扩散中断材料，并对所述单扩散中断材料进行刻蚀及去除。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底，所述衬底上形成有至少两个相邻的晶体管区；
至少两个相邻的所述晶体管区的相接处形成有浅隔离沟槽；
在所述浅隔离沟槽的侧壁形成第一电介质层；
在所述浅隔离沟槽内、所述晶体管区远离所述衬底的一侧填充单扩散中断材料，并对所述单扩散中断材料进行刻蚀及去除。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬底上形成有至少两个相邻的晶体管区，包括以下步骤：
在所述衬底上形成有至少两个鳍部；
在所述至少两个鳍部的周围沉积垫氧层；
在所述垫氧层远离所述衬底的一侧及所述至少两个鳍部周围沉积包覆层；
在所述包覆层远离所述衬底的一侧沉积第二电介质层。


3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在至少两个相邻的所述晶体管区的相接处形成有浅隔离沟槽，包括：刻蚀相邻的两个所述晶体管区的相接处的所述第二电介质层和所述包覆层，以形成所述浅隔离沟槽。


4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成浅隔离沟槽之前，还包括：对所述第二电介质层远离所述衬底的一侧进行化学机械抛光。


5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述单扩散中断材料进行刻蚀及...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志勇，蒋鑫，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31