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本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底上形成有至少两个相邻的晶体管区；相邻的晶体管区的相接处形成有浅隔离沟槽。为了保护浅隔离沟槽的侧壁上的材料在后续刻蚀中不被不同程度地刻蚀，可在浅隔离沟槽的侧壁上形成第一电介质层，...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。