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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS区和PMOS区；在衬底上形成隔离层；在隔离层上形成若干分立排布的硬掩膜层，若干分立排布的硬掩膜层定义鳍部图形；去除硬掩膜层覆盖的隔离层，直至暴露出衬底，在隔离层内形成...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。